福建省晋华集成电路有限公司颜逸飞获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223334964U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422542941.X，技术领域涉及：H10D64/27；该实用新型半导体器件是由颜逸飞;林昭维;陈辉煌;涂言铭;何新悦设计研发完成，并于2024-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了半导体器件，包括衬底、第一栅极结构、第一外延结构以及第一间隙壁结构。衬底包括有源区和浅沟槽隔离，浅沟槽隔离包括至少一凹槽。第一栅极结构设置在浅沟槽隔离上，包括依序堆叠的第一栅极电介质层和第一栅极层。第一外延结构设置在第一栅极结构两侧的有源区内。第一间隙壁结构设置在第一栅极结构的侧壁上并位于浅沟槽隔离的凹槽内，其中，第一间隙壁结构的最低点低于第一栅极结构的最低点。如此，得以强化间隙壁的结构稳定性、并改善其隔绝效果，使得半导体器件能达到更为优化的操作表现。
本实用新型半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，包括有源区和浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离包括至少一凹槽； 第一栅极结构，设置在所述浅沟槽隔离上，包括依序堆叠的第一栅极电介质层和第一栅极层； 第一外延结构，设置在所述第一栅极结构一侧的所述有源区内；以及 第一间隙壁结构，设置在所述第一栅极结构的侧壁上并位于所述浅沟槽隔离的所述凹槽内，其中，所述第一间隙壁结构的最低点低于所述第一栅极结构的最低点。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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