江西大有科技有限公司周维获国家专利权
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龙图腾网获悉江西大有科技有限公司申请的专利一种基于温等静压烧结制备非晶芯片电感的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119480400B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411454228.8，技术领域涉及：H01F41/00；该发明授权一种基于温等静压烧结制备非晶芯片电感的方法是由周维;彭春杨;毛文龙;毛宇辰设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于温等静压烧结制备非晶芯片电感的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于温等静压烧结制备非晶芯片电感的方法，属于电感制备技术领域。该方法包括如下步骤：将非晶粉料依次经过钝化、包覆、造粒、压制成型处理，获得非晶芯片电感坯体；将非晶芯片电感坯体置于等静压腔体内，以氩气为等静压气体介质，进行温等静压烧结，烧结温度为250℃～450℃，压力为250MPa～300MPa；在氮气气氛下，常压退火处理制得非晶芯片电感。本发明非晶芯片电感采用了温等静压烧结技术，不仅解决了非晶高温晶化问题，同时可以解决了非晶高压晶粒取向高损耗问题。
本发明授权一种基于温等静压烧结制备非晶芯片电感的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于温等静压烧结制备非晶芯片电感的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： 将非晶粉料依次经过钝化、包覆、造粒、压制成型处理，获得非晶芯片电感坯体，具体操作如下：将非晶粉料浸泡于钝化液中热处理，进行第一层包覆，所述钝化液采用硅酸钠与磷酸混合溶液，热处理温度为100℃～120℃；钝化后的非晶粉料中加入耐高温有机硅树脂，进行第二层包覆；双层包覆后的非晶粉料进行造粒处理，取粒度在200目～400目之间的非晶粉粒；将非晶粉粒和铜片置于模具中，在100Mpa的压力下压制成型，制得非晶芯片电感坯体； 将非晶芯片电感坯体置于等静压腔体内，以氩气为等静压气体介质，进行温等静压烧结，烧结温度为250℃～430℃，压力为250MPa～300MPa； 在氮气气氛下，常压退火处理制得非晶芯片电感。
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