北京航空航天大学胡斌获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利双层壁气冷叶片模拟件及其制备方法、制备系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119328064B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411448348.7,技术领域涉及:B22C9/04;该发明授权双层壁气冷叶片模拟件及其制备方法、制备系统是由胡斌;张新宇;茹毅设计研发完成,并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本双层壁气冷叶片模拟件及其制备方法、制备系统在说明书摘要公布了:本发明公开了一种双层壁气冷叶片模拟件及其制备方法、制备系统,涉及测试技术领域。上述双层壁气冷叶片模拟件制备方法可制备得到二次取向及特征结构可控的单晶高温合金双层薄壁扰流柱模拟件。实际应用中,通过调整铸造中间体的组装方式及组装结构,可制备出不同一次取向、二次取向、壁厚以及扰流柱尺寸的单晶高温合金双层薄壁扰流柱铸件,以满足多种服役测试需求。双层壁气冷叶片模拟件制备系统主要用来实施上述双层壁气冷叶片模拟件制备方法,制得的双层壁气冷叶片模拟件填补了当前针对双层壁气冷结构涡轮叶片的模拟件技术空白,能够为优化涡轮叶片复杂冷却结构、提升涡轮叶片结构服役寿命提供精确的服役测试数据。
本发明授权双层壁气冷叶片模拟件及其制备方法、制备系统在权利要求书中公布了:1.一种双层壁气冷叶片模拟件制备方法,其特征在于,用于一体铸造双层壁气冷叶片模拟件,包括步骤: S1、制备与目标铸件的形状及大小匹配的型芯,所述型芯的中间段开设有多个用于形成扰流柱的扰流柱成型孔; S2、在单晶高温合金试样上切割出具有所需一次取向和二次取向的籽晶,并在所述籽晶外周注蜡,形成籽晶放大器,将所述籽晶放大器连接到二级放大器上,得到组合放大器; S3、将蜡纸一贴合于陶瓷片表面,所述蜡纸一的横向宽度及厚度与所述目标铸件的内、外层壁中一者的相同,所述中间段设置于所述蜡纸一的正上方,且所述蜡纸一的长度、横向宽度分别与所述中间段的长度、横向宽度相同; S4、将蜡纸二和蜡纸三分别沿所述陶瓷片长度方向连接在所述蜡纸一的长度方向两端,所述蜡纸二和所述蜡纸三的厚度相同,且所述蜡纸二和所述蜡纸三的厚度均为所述蜡纸一的厚度与所述中间段的厚度之和,所述蜡纸二和所述蜡纸三的横向宽度均与所述中间段的横向宽度相同; S5、将蜡纸四贴合覆盖于所述中间段、所述蜡纸二和所述蜡纸三的表面,得到与所述目标铸件的双层壁扰流柱结构适配的铸造成型主体,其中,所述蜡纸四的厚度与所述目标铸件的内、外层壁中另一者的厚度相同; S6、将步骤S2得到的所述组合放大器与所述蜡纸三、所述蜡纸四的端面处相组合连接,得到铸造中间体; S7、将所述铸造中间体组装至浇道盘上,然后对所述铸造中间体进行沾浆涂壳形成型壳,脱蜡后得到带有籽晶的、与所述目标铸件形状及大小匹配的铸型; S8、将合金熔体浇铸到所述铸型中,得到二次取向合金双层薄壁扰流柱铸件,然后在所述二次取向合金双层薄壁扰流柱铸件的内层壁上开设多个冲击孔,在所述二次取向合金双层薄壁扰流柱铸件的外层壁上开设多个气膜孔,形成所述双层壁气冷叶片模拟件。
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