台湾积体电路制造股份有限公司邱郁芳获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223334962U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422506162.4，技术领域涉及：H10B10/00；该实用新型半导体结构是由邱郁芳;郑安皓;林彦良;萧茹雄设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体结构包括设置在基板中的第一隔离结构及第二隔离结构。半导体结构包括插入基板中的第一隔离结构与第二隔离结构之间的掺杂区域。半导体结构包括设置在掺杂区域上的栅极结构。半导体结构包括自栅极结构突出至第一隔离结构的第一栅极延伸，其中第一栅极延伸具有自基板的顶表面量测的第一深度。半导体结构还包括自栅极结构突出至第二隔离结构中的第二栅极延伸，其中第二栅极延伸具有与第一深度不同的第二深度。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包含： 一第一隔离结构及一第二隔离结构，设置在一基板中； 一掺杂区域，插入该基板中的该第一隔离结构与该第二隔离结构之间； 一栅极结构，设置在该掺杂区域上； 一第一栅极延伸，自该栅极结构突出至该第一隔离结构中，该第一栅极延伸具有自该基板的一顶表面量测的一第一深度；及 一第二栅极延伸，自该栅极结构突出至该第二隔离结构中，该第二栅极延伸具有自该基板的该顶表面量测的一第二深度，该第二深度与该第一深度不同。
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