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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种基于外部电感谐振的IGBT模块寄生电容提取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119104791B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411415623.5，技术领域涉及：G01R27/26；该发明授权一种基于外部电感谐振的IGBT模块寄生电容提取方法是由陈恒林;常俊浩;朱自立设计研发完成，并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于外部电感谐振的IGBT模块寄生电容提取方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于外部电感谐振的IGBT模块寄生电容提取方法，包括：采用对称的端口进行测量，利用改进的计算方法来提取寄生电容参数，通过多组外接电感进行实验验证方法准确性。相比于现有的提取方法，本发明IGBT模块寄生电容提取方法选用阻抗接近的对称端口进行测量，误差远小于现有提取方法，可以极大地消除了结电容非线性特性的影响，并且提取结果不受外部电感值的影响，可用于准确提取IGBT模块，尤其是高功率IGBT模块的寄生电容值，具有较好的精度。

本发明授权一种基于外部电感谐振的IGBT模块寄生电容提取方法在权利要求书中公布了：1.一种基于外部电感谐振的IGBT模块寄生电容提取方法，所述IGBT模块由两个IGBT管T1和T2连接组成，T1的集电极为IGBT模块的端子P，T1的发射极与T2的集电极相连作为IGBT模块的端子O，T2的发射极为IGBT模块的端子N，其特征在于，所述IGBT模块寄生电容提取方法包括如下步骤： 1测量IGBT模块覆铜层与背板铜层之间的寄生电容总值CT； 2在端子P与端子O两端并联谐振电感以实现并联谐振的条件，从端子P与背板铜层两端测量端口阻抗ZPB，从端子O与背板铜层两端测量端口阻抗ZOBPB； 3根据谐振频率下的端口阻抗ZPB和ZOBPB，结合测量值计算连接端子P的覆铜层在背板铜层形成的寄生共模电容CP； 4重新连接谐振电感，将谐振电感并联在端子N与端子O的两端，从端子N与背板铜层两端测量端口阻抗ZNB，从端子O与背板铜层两端测量端口阻抗ZOBNB； 5根据谐振频率下的端口阻抗ZNB和ZOBNB，结合测量值计算连接端子N的覆铜层在背板铜层形成的寄生共模电容CN； 6根据寄生电容总值CT以及上述计算得到的寄生共模电容CP和CN，计算出连接端子O的覆铜层在背板铜层形成的寄生共模电容CO。

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