Document
拖动滑块完成拼图
个人中心

预订订单
服务订单
发布专利 发布成果 人才入驻 发布商标 发布需求

请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励

投诉建议

在线咨询

联系我们

龙图腾公众号
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 北京航空航天大学周春根获国家专利权

北京航空航天大学周春根获国家专利权

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种沉积Dy、Hf改性AlCoCrFeNi高熵合金薄膜提高TiAl合金抗氧化性能的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118932307B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410998885.2,技术领域涉及:C23C14/35;该发明授权一种沉积Dy、Hf改性AlCoCrFeNi高熵合金薄膜提高TiAl合金抗氧化性能的方法是由周春根;张硕;张园咪设计研发完成,并于2024-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

一种沉积Dy、Hf改性AlCoCrFeNi高熵合金薄膜提高TiAl合金抗氧化性能的方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种沉积Dy、Hf改性AlCoCrFeNi高熵合金薄膜提高TiAl合金抗氧化性能的方法,涉及高熵合金薄膜制备领域,包括以下步骤:以Ti、Al、Nb为合成原料,利用真空非自耗电弧熔炼技术,制备Ti‑45Al‑8Nb基体;S2、称取纯金属原料Al、Co、Cr、Fe、Ni以及纯活性原料Dy、Hf,利用真空非自耗电弧熔炼技术制备得到改性AlCoCrFeNi高熵合金靶材;S3、将步骤S1中的Ti‑45Al‑8Nb基体安装在磁控溅射设备的夹具上,将步骤S2中改性AlCoCrFeNi高熵合金靶材放置在射频靶上,利用磁控溅射技术,得到覆盖改性AlCoCrFeNi高熵合金薄膜的TiAl合金。因此,本申请采用上述的一种沉积Dy、Hf改性AlCoCrFeNi高熵合金薄膜提高TiAl合金抗氧化性能的方法,得到的改性AlCoCrFeNi高熵合金薄膜提高了TiAl合金的抗氧化性能。

本发明授权一种沉积Dy、Hf改性AlCoCrFeNi高熵合金薄膜提高TiAl合金抗氧化性能的方法在权利要求书中公布了:1.一种沉积Dy、Hf改性AlCoCrFeNi高熵合金薄膜提高TiAl合金抗氧化性能的方法,其特征在于,包括以下步骤: S1、以Ti、Al、Nb为合成原料,利用真空非自耗电弧熔炼技术,制备Ti-45Al-8Nb基体; S2、称取纯金属原料Al、Co、Cr、Fe、Ni以及纯活性原料Dy、Hf,利用真空非自耗电弧熔炼技术制备得到改性AlCoCrFeNi高熵合金靶材; 改性AlCoCrFeNi高熵合金靶材中,Dy、Hf的掺杂量为0.01-0.03%at; 改性AlCoCrFeNi高熵合金靶材中,Al、Co、Cr、Fe、Ni的原子比为1:1:1:1:1; S3、将步骤S1中的Ti-45Al-8Nb基体安装在磁控溅射设备的夹具上,将步骤S2中改性AlCoCrFeNi高熵合金靶材放置在射频靶上,利用磁控溅射技术,得到覆盖改性AlCoCrFeNi高熵合金薄膜的TiAl合金; 步骤S3中,磁控溅射参数为:Ti-45Al-8Nb基体的温度80~100°C,AlCoCrFeNi高熵合金靶材的功率300W,溅射时间7~8h,气压0.4Pa,真空度1x10-4~6x10-4Pa。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京航空航天大学,其通讯地址为:100191 北京市海淀区学院路37号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。