苏州大学石震武获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利面向半导体分子束外延的一种图形化可控液滴外延方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118147746B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410261029.9，技术领域涉及：C30B25/16；该发明授权面向半导体分子束外延的一种图形化可控液滴外延方法是由石震武;任卯韫;彭长四;程灵素;耿彪设计研发完成，并于2024-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本面向半导体分子束外延的一种图形化可控液滴外延方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，涉及面向半导体分子束外延的一种图形化可控液滴外延方法。该方法包括以下步骤，将衬底的温度维持在低于目标液滴材料的熔点；在衬底表面沉积目标液滴材料，形成金属镀膜层，沉积厚度高于目标液滴材料正常形成液滴时的临界厚度；原位引入激光干涉脉冲辐照作用于所述金属镀膜层，实现目标液滴的图形化有序构筑。本发明方法可实现图形化制备III族元素液滴，该方法的原理和实施过程完全兼容传统的液滴外延过程，不存在引入任何材料缺陷的风险，不对衬底种类有选择，从而解决当前现有图形化技术普遍存在的包括材料晶体质量潜在的损伤，液滴成分一致性差以及液滴的种类直接受限于选用的衬底等问题。
本发明授权面向半导体分子束外延的一种图形化可控液滴外延方法在权利要求书中公布了：1.面向半导体分子束外延的一种图形化可控液滴外延方法，其特征在于，包括以下步骤， S1：将衬底的温度维持在低于目标液滴材料的熔点5-10℃，所述目标液滴材料为III族金属材料； S2：在衬底表面沉积目标液滴材料，形成金属镀膜层，沉积厚度高于目标液滴材料正常形成液滴时的临界厚度1-3个原子层； S3：原位引入激光干涉脉冲辐照作用于所述金属镀膜层，实现目标液滴的图形化有序构筑； 其中，原位引入激光干涉脉冲辐照作用于所述金属镀膜层，使得干涉增强区的温度高于目标液滴材料的熔点，干涉相消区的温度低于目标液滴材料的熔点； 激光干涉脉冲的脉冲宽度为5-50ns，能量为10-40mJ，偏振模式为S波。
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