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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种半导体器件终端结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117894843B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311813994.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种半导体器件终端结构是由王宽;吴阳阳;郭飞;徐少东;成志杰;陈伟;袁俊设计研发完成，并于2023-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件终端结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件终端结构，属于半导体器件技术领域。该半导体器件终端结构包括衬底、位于衬底上的漂移区、位于衬底背面的阴极，以及阳极；漂移区包括主结区和结终端区；结终端区包括与主结区相邻的过渡区；阳极的至少一部分位于主结区的上表面；主结区包括第一掺杂区；过渡区包括至少一个具有n级n≥2台阶的沟槽；沟槽内设置有从开口位置沿每一级台阶的内壁延伸至沟槽底部的第二掺杂区；沟槽内部填充有介质层；衬底与漂移区的掺杂类型相同；第二掺杂区和第一掺杂区的掺杂类型相同，且与衬底的掺杂类型相反。该半导体器件终端结构能够转移主结边缘和漂移区深处的电场，并降低过渡区边缘的集中电场，从而提高器件的击穿电压。

本发明授权一种半导体器件终端结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件终端结构，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底上的漂移区、位于所述衬底背离所述漂移区一侧的阴极，以及阳极；所述漂移区包括主结区和结终端区；所述结终端区包括与所述主结区相邻的过渡区以及位于所述过渡区远离所述主结区一侧的分散区；所述主结区包括第一掺杂区；所述过渡区包括至少一个具有n级台阶的沟槽，n为≥2的整数；所述沟槽从所述漂移区背离所述衬底的一侧表面向所述衬底的方向延伸；所述沟槽内设置有从所述沟槽的开口位置沿每一级所述台阶的内壁延伸至所述沟槽底部的第二掺杂区；所述沟槽内部填充有介质层；所述衬底与所述漂移区的掺杂类型相同；所述第二掺杂区和所述第一掺杂区的掺杂类型相同，且与所述漂移区的掺杂类型相反；所述第一掺杂区与所述漂移区在所述主结区形成主结；所述阳极从主结区延伸至所述过渡区，并与位于所述沟槽开口位置处的所述第二掺杂区直接接触； 所述分散区包括多个第三掺杂区形成的多个浮空场限环；或所述分散区包括一个第四掺杂区形成的结终端扩展结构，且所述第四掺杂区与所述第二掺杂区或所述第一掺杂区电连接； 或所述分散区包括多个第三掺杂区和一个第四掺杂区，所述第四掺杂区与所述第二掺杂区或所述第一掺杂区电连接，在所述主结区至所述结终端区的方向上，所述第四掺杂区与所述第三掺杂区依次排列；或所述第三掺杂区分布在所述第四掺杂区内； 所述第三掺杂区、所述第四掺杂区与所述第一掺杂区的掺杂类型均相同。

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