拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司高级获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118639215B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311809957.6，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质是由高级;宋宇;魏佳楠设计研发完成，并于2023-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及计算机可读存储介质。所述薄膜沉积设备包括工艺腔室、工艺气源、抽气机构及补气模块。所述工艺腔室用于容纳待加工的晶圆，并对其进行薄膜沉积工艺。所述工艺气源用于向所述工艺腔室提供工艺气体，并响应于一警报信号而关闭。所述抽气机构包括真空泵及节流阀。所述真空泵经由所述节流阀连接设于所述工艺腔室的抽气口。所述节流阀响应于所述警报信号而先在其关断延迟时间内逐渐关闭，再根据预设的工艺终止曲线逐渐开启，以控制所述工艺腔室中的气压按所述工艺终止曲线下降到结束所述薄膜沉积工艺的终点气压。所述补气模块响应于所述警报信号而在所述节流阀的关断延迟时间内向所述工艺腔室提供补充气体。
本发明授权薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括： 工艺腔室，用于容纳待加工的晶圆，并对其进行薄膜沉积工艺； 工艺气源，用于向所述工艺腔室提供工艺气体，并响应于一警报信号而关闭； 抽气机构，包括真空泵及节流阀，其中，所述真空泵经由所述节流阀连接设于所述工艺腔室的抽气口，所述节流阀响应于所述警报信号而先在其关断延迟时间内逐渐关闭，再根据预设的工艺终止曲线逐渐开启，以控制所述工艺腔室中的气压按所述工艺终止曲线下降到结束所述薄膜沉积工艺的终点气压；以及 补气模块，响应于所述警报信号而在所述节流阀的关断延迟时间内向所述工艺腔室提供补充气体。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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