TCL华星光电技术有限公司骆官水获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板及其制作方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117637772B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311703436.2，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权阵列基板及其制作方法、显示面板是由骆官水;张宁;唐诗;谢忠憬设计研发完成，并于2023-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及其制作方法、显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板。阵列基板的制作方法包括：在衬底上形成桥接金属层和栅极；在衬底上形成栅极绝缘层、半导体层、第二金属层以及第一保护层，栅极绝缘层覆盖栅极和桥接金属层；在第一保护层上形成厚度不同的三段式光刻胶，并以三段式光刻胶为掩模板，对第一保护层、第二金属层、半导体层和栅极绝缘层进行图案化，图案化后，第一保护层上剩余部分光刻胶；继续在衬底上形成透明导电连接层；剥离剩余部分光刻胶，以使透明导电连接层形成间隔设置的导电连接层和像素电极；对未被导电连接层和像素电极覆盖的第一保护层和第二金属层进行刻蚀。本申请旨在减少生产阵列基板所需的光罩数量，简化工艺流程，降低生产成本。
本发明授权阵列基板及其制作方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法包括以下步骤： 在衬底上形成第一金属层； 对所述第一金属层进行图案化，形成桥接金属层和栅极； 在所述衬底上依次形成层叠的栅极绝缘层、半导体层、第二金属层以及第一保护层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极和所述桥接金属层； 在所述第一保护层上形成厚度不同的三段式光刻胶，并以所述三段式光刻胶为掩模板，对所述第一保护层、所述第二金属层、所述半导体层以及所述栅极绝缘层进行图案化，图案化后，所述第一保护层上剩余部分光刻胶； 继续在所述衬底上形成透明导电层； 剥离所述剩余部分光刻胶，以使所述透明导电层形成间隔设置的导电连接层和像素电极；以及 对未被所述导电连接层和所述像素电极覆盖的所述第一保护层和所述第二金属层进行刻蚀。
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