新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司阿热帕提·阿扎提获国家专利权
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龙图腾网获悉新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司申请的专利一种三氯氢硅的合成方法及设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117303374B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311298206.2,技术领域涉及:C01B33/107;该发明授权一种三氯氢硅的合成方法及设备是由阿热帕提·阿扎提;刘兴平;苏国良;周立坤;黄金锋设计研发完成,并于2023-10-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三氯氢硅的合成方法及设备在说明书摘要公布了:本发明实施例提供一种三氯氢硅的合成方法及设备,所述方法包括:将第一粒径范围的硅粉加入至流化床反应器的第一进料口,将第二粒径范围的硅粉加入至流化床反应器的第二进料口,第一粒径范围中的粒径大于第二粒径范围中的粒径,第一进料口至流化床反应器底部的距离大于第二进料口至流化床反应器底部的距离;将反应气自流化床反应器底部通入流化床反应器与硅粉进行反应,生成三氯氢硅。将不同粒径范围的硅粉加入至流化床反应器对应粒径范围的进料口,使得自第一进料口加入的第一粒径范围的硅粉可以对自第二进料口加入的第二粒径范围的硅粉进行阻挡,减少了随反应气流失的硅粉的数量,增加了硅粉的反应时间,提升了硅粉的利用率。
本发明授权一种三氯氢硅的合成方法及设备在权利要求书中公布了:1.一种三氯氢硅的合成方法,其特征在于,所述方法包括:将第一粒径范围的硅粉加入至流化床反应器的第一进料口,将第二粒径范围的硅粉加入至所述流化床反应器的第二进料口,所述第一粒径范围中的粒径大于所述第二粒径范围中的粒径,所述第一进料口至所述流化床反应器底部的距离大于所述第二进料口至所述流化床反应器底部的距离;其中,具有第一粒径范围的硅粉与具有第二粒径范围的硅粉的质量比为1至2;所述第一进料口至所述流化床反应器底部的距离与所述第二进料口至所述流化床反应器底部的距离之间的比值范围为7:3至9:1; 将反应气自所述流化床反应器底部通入所述流化床反应器与硅粉进行反应,生成三氯氢硅,所述反应气包括四氯氢硅、氢气; 在所述将反应气自所述流化床反应器底部通入所述流化床反应器与硅粉进行反应之后,所述方法还包括: 通过与所述流化床反应器顶部连接的分离器获取自所述流化床反应器流出的第三粒径范围的硅粉,所述第三粒径范围中的粒径小于所述第一粒径范围中的粒径; 将所述第三粒径范围的硅粉加入至所述流化床反应器的第三进料口,所述第三进料口位于所述第一进料口与所述第二进料口之间; 在所述将反应气自所述流化床反应器底部通入所述流化床反应器与硅粉进行反应之后,所述方法还包括: 通过与所述分离器连接的过滤器获取自所述分离器流出的第四粒径范围的硅粉,所述第四粒径范围中的粒径小于所述第二粒径范围中的粒径; 将所述第四粒径范围的硅粉加入至所述流化床反应器的第四进料口,所述第四进料口靠近所述流化床反应器底部;其中,所述第四进料口与第二进料口分别位于流化床反应器相对的两侧,所述第四进料口至流化床反应器底部的距离小于或等于第二进料口至流化床反应器底部的距离。
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