天津弘捷科技有限公司王团伟获国家专利权
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龙图腾网获悉天津弘捷科技有限公司申请的专利一种光电信息泄露防护薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116648045B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310612026.0，技术领域涉及：H05K9/00；该发明授权一种光电信息泄露防护薄膜及其制备方法是由王团伟;刘伟;刘志武;耿姗姗;许小晨;张薏设计研发完成，并于2023-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电信息泄露防护薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光电信息泄露防护薄膜及其制备方法，包括基底层和固化在基底层顶部的防护层，所述防护层厚度为1‑100μm，其由纳米银线和氧化铟锡铯钨青铜三氧化二砷混合后通过涂布方式一次成型耦合在基底层的上表面；其中，多条纳米银线相互搭接层叠形成不规则的导电网格；所述纳米银线和氧化铟锡铯钨青铜三氧化二砷的重量比为1：9至9：1之间；所述防护层能够反射电磁信号，从入射方向防止电磁辐射信号透过防护层产生电磁泄露，同时从入射方向防止入射的红外激光形成红外出射光。
本发明授权一种光电信息泄露防护薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光电信息泄露防护薄膜，包括基底层（1），其特征在于，还包括固化在基底层（1）顶部的防护层（2），所述基底层（1）用于为防护薄膜提供支撑，所述防护层（2）厚度为1-100μm，其由纳米银线和氧化铟锡铯钨青铜三氧化二砷混合后通过涂布方式一次成型耦合在基底层（1）的上表面；其中，多条纳米银线相互搭接层叠形成不规则的导电网格；所述纳米银线和氧化铟锡铯钨青铜三氧化二砷的重量比为1：9至9：1之间；所述防护层（2）能够反射电磁信号，同时从入射方向吸收入射的红外激光。
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