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龙图腾网获悉福建科源新材料股份有限公司申请的专利一种低烧损的高硅铝合金熔炼工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116970821B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310421166.X，技术领域涉及：C22C1/02；该发明授权一种低烧损的高硅铝合金熔炼工艺是由王火生;陈诒宝;杨先锋;陈代宝;刘兆龙;侯泉良设计研发完成，并于2023-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低烧损的高硅铝合金熔炼工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低烧损的高硅铝合金熔炼工艺，采用分段控温，分批加硅的方式，在加硅前铝液温度控制在当前铝液成分相应的熔点以上20～30℃，确保加入硅后，通过硅吸收热量使铝液温度降至加硅前熔点以下，以形成半固态糊状熔体，并充分包裹硅块，与铝水充分润湿，且由于铝水粘度增大，不易上浮，减少硅的氧化烧损。加完硅后铝液升高至加硅后铝液成分对应的熔点以上40～80℃，促使硅快速熔化，且让铝水尽可能处于较低的温度，减少铝的烧损。

本发明授权一种低烧损的高硅铝合金熔炼工艺在权利要求书中公布了：1.一种低烧损的高硅铝合金熔炼工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1:熔化初始炉料：以工业纯铝或废铝为初始炉料，将炉温控制在工业纯铝或废铝对应熔点以上40～80℃，直至初始炉料完全熔解；若所使用的原料为废铝，且原始硅含量大于或等于12.6%，跳至步骤S3； S2：铝水温度降至加硅温度，进行加硅，按铝水中硅质量含量达到第一数值计算加入量，加入硅后充分搅拌使铝水包裹硅，将炉温升高至熔硅温度保温，直至硅完全熔解； S3：铝水温度降至加硅温度，进行加硅，按铝水中硅质量含量达到第二数值计算加入量，加入硅后充分搅拌使铝水包裹硅，将炉温升高至熔硅温度保温，直至硅完全溶解；若第二数值等于目标数值，则跳至步骤S5； S4：铝水温度降至加硅温度，进行加硅，按铝水中硅质量含量达到目标数值计算加入量，加入硅后充分搅拌使铝水包裹硅；提升炉温至熔硅温度保温，直至硅完全溶解； S5：计算合金最终成分对应的熔点，将炉温控制在该熔点以上50～80℃，加入高熔点金属，保温直至所有金属都熔解；若未加入高熔点金属则跳过此步骤，转至步骤S6； S6：对铝水进行净化处理，扒除炉渣后，根据需要加入低熔点金属；静置20-60min后，出水浇注铝合金锭； 所述目标数值为所要制备的铝合金中硅质量含量所对应的数值；所述第一数值小于第二数值；所述第二数值小于等于目标数值；所述目标数值为17%-30%； 所述步骤S2-S4的任一步骤中，所述加硅温度控制在当前步骤加硅前合金熔点以上20～30℃，以确保加入硅后，硅吸收铝水热量，可使铝液温度降至当前步骤加硅前合金熔点以下，并形成半固态糊状熔体，充分包裹硅块，防止硅上浮至铝液表面而氧化烧损； 所述步骤S2-S4的任一步骤中，所述熔硅温度控制在当前步骤加硅后合金熔点以上40～80℃，确保硅可以快速熔解，并缩短铝液保温时间，减少铝水氧化烧损。

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