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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利改善延伸波长InGaAs晶圆翘曲的缓冲层结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207176B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310252923.5，技术领域涉及：H10F10/163；该发明授权改善延伸波长InGaAs晶圆翘曲的缓冲层结构及其制备方法是由刘博文;顾溢;李淘;邵秀梅;李雪;龚海梅设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善延伸波长InGaAs晶圆翘曲的缓冲层结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善延伸波长InGaAs晶圆翘曲的缓冲层结构及其制备方法，所述缓冲层结构自下而上依次包含晶格匹配缓冲层、组分线性递增缓冲层、组分线性递减缓冲层、固定组分缓冲层。所述晶格匹配缓冲层材料为In0.52Al0.48As或InP，所述组分线性递增缓冲层的材料为InxAl1‑xAs或InAsyP1‑y，其中自所述组分线性递增缓冲层下端至上端，x由0.52线性递增至a，0.85≤a≤1，或y由0线性递增至b，0.7≤b≤1，所述组分线性递减缓冲层的下端的所述组分线性递增缓冲层的上端晶格匹配，而后组分线性递减至与延伸波长InGaAs晶格匹配，所述固定组分缓冲层与延伸波长InGaAs层晶格匹配。本发明利用缓冲层内部应力相互作用来改善外延片晶圆翘曲，从而提高焦平面探测器制备规模和成品率。

本发明授权改善延伸波长InGaAs晶圆翘曲的缓冲层结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种改善延伸波长InGaAs晶圆翘曲的缓冲层结构，包括晶格匹配缓冲层1，组分线性递增缓冲层2，组分线性递减缓冲层3和固定组分缓冲层4，其特征在于： 所述的缓冲层结构由下至上依次为晶格匹配缓冲层1，组分线性递增缓冲层2，组分线性递减缓冲层3和固定组分缓冲层4； 所述组分线性递增缓冲层2的材料为InxAl1-xAs或InAsyP1-y，自所述组分线性递增缓冲层2下端至上端，x由0.52线性递增至a，0.85≤a≤1，或y由0线性递增至b，0.7≤b≤1，InaAl1-aAs和InAsbP1-b的晶格常数大于延伸波长InGaAs层的晶格常数； 所述组分线性递减缓冲层3的材料为InwAl1-wAs或InAszP1-z，自所述组分线性递减缓冲层3的下端至上端，w由a线性递减至c，0.52＜c＜0.85＜a，或z由b线性递减至d，0＜d＜0.7＜b，IncAl1-cAs和InAsdP1-d与延伸波长InGaAs层晶格匹配。

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