中国科学院上海技术物理研究所顾溢获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利图形化衬底延伸波长InGaAs焦平面探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230802B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310252945.1，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权图形化衬底延伸波长InGaAs焦平面探测器及其制备方法是由顾溢;刘博文;于春蕾;邵秀梅;李雪;龚海梅设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本图形化衬底延伸波长InGaAs焦平面探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种图形化衬底延伸波长InGaAs焦平面探测器及其制备方法。图形化衬底的周期与焦平面探测器像元中心距相同，图形化衬底凹槽和凸脊尺寸分别与像元和像元间隔或像元间隔和像元尺寸相同。在图形化衬底上外延延伸波长InGaAs探测器材料结构，只在无SiNx介质层一上外延形成半导体单晶材料，对应焦平面探测器芯片像元区域，而后通过钝化、金属淀积、倒焊等工艺实现InGaAs焦平面探测器制备。本发明可以使晶格失配材料的位错在图形边缘终止而不向上延伸，降低吸收层材料的位错密度。图形化衬底的周期和尺寸与焦平面芯片像元一致，减少了工艺复杂性，适用于大批量推广。本发明还可以推广到其他晶格失配材料体系的焦平面探测器制备，具有很好的通用性。
本发明授权图形化衬底延伸波长InGaAs焦平面探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.图形化衬底延伸波长InGaAs焦平面探测器，其结构为自上而下包括图形化衬底1、SiNx介质层一2、半导体单晶材料3、半导体多晶或非晶材料4、SiNx介质层二5、接触电极一6、接触电极二7、互联金属8、Si读出电路9，其特征在于： 所述图形化衬底1的材料为InP，掺杂类型为N型或P型掺杂，所述的图形化衬底1的周期与焦平面探测器像元中心距相同，周期为5-33μm，所述的图形化衬底1包含两种结构，一种是凹槽尺寸与像元尺寸相同，对应的凸脊尺寸与像元间隔尺寸相同，另一种是凸脊尺寸与像元尺寸相同，对应的凹槽尺寸与像元间隔尺寸相同，其中像元尺寸为4-30μm，像元间隔尺寸为1-3μm，凹槽深度为2-4μm。
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