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龙图腾网获悉珠海晶通科技有限公司申请的专利一种提高单wafer晶圆规划多种不同block的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314181B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310257182.X，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权一种提高单wafer晶圆规划多种不同block的制作方法是由沈志春;陈勇坚;夏玥;张清贵;刘心舸;吴欣延设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高单wafer晶圆规划多种不同block的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开的一种提高单wafer晶圆规划多种不同block的制作方法，包括以下步骤：步骤S1，规划多个block；步骤S2，设置多个不同的修正值；步骤S3，确定修正值的连线方式，在物理版图实现的过程中，把布线层引到金属布线顶层；步骤S4，样片测试，分别对不同block进行测试，测试完成后挑选出最符合设计目标的block；步骤S5，整个晶圆只需在原来的数据基础上，改动顶层金属mask光罩就可以进行芯片大规模的量产，这样制作方法不仅节省了大量的宝贵时间，有效提高单wafer晶圆成功率和缩短芯片设计周期、降低成本，而且也避免了产能紧张的问题。

本发明授权一种提高单wafer晶圆规划多种不同block的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种提高单wafer晶圆规划多种不同block的制作方法，用于在单个wafer晶圆上规划出多个不同block，其特征在于，该制作方法包括以下步骤： 步骤S1，规划多个block 在单个wafer晶圆上规划出多个不同block，所述不同的block大小形状相同而仅仅只是最高n层金属metal的连线不同，n为大于等于1的正整数，如果n为1即不同的block只有最高一层金属metal的连线不同，n为2即不同的block有最高两层金属metal连线不同；依此类推，n为m即不同的block有最高m层金属metal连线不同； 步骤S2，设置多个不同的修正值 当n＝1时，不同的block只有最高层金属metal连线不同，当n＝2时，不同的block最高2层金属metal连线不同，依此类推，n＝m时，不同的block最高m层金属metal连线不同； 然后，运用工艺金属线光罩选择方式得到不同block所对应相关参数不同的修正值； 具体为，根据电路的特点，设计出多个带有可供修正的重要参数，每个参数是0或者是1，然后根据不同的参数，按照BCD码方式进行编码，得到不同block所对应相关参数不同的修正值； 步骤S3，确定修正值的连线方式 在物理版图实现的过程中，把布线层引到金属布线顶层，在参数编码后，修正值对应为1的通过版图物理连线连接到电源线VDD或者高电平钳位单元，修正值对应为0的通过物理版图连线、连接到顶层地线VSS或者低电平钳位单元，形成一个按照工艺金属线光罩选择方式的设计； 步骤S4，样片测试 芯片生产完成后，进行样片测试，分别对不同block进行测试，测试完成后挑选出最符合设计目标的block，在不额外增加流片的情况下，在原来的数据里面直接改动最高层金属mask光罩，即把其他block的修正值改成和最符合设计目标的block的修正值一样； 实现在版图数据上，修正值1改成0的，即把原来最高层金属连接到电源线VDD或者高电平钳位单元改成连接到地线VSS或者低电平钳位单元上；修正值0改成1的，即把原来最高层金属连接到地线VSS或者低电平钳位单元改成连接到电源线VDD或者高电平钳位单元上； 步骤S5，整个晶圆只需在原来的数据基础上，改动最高金属层mask光罩就可以进行芯片大规模的量产。

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