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龙图腾网获悉南京邮电大学;南京宇都通讯科技有限公司申请的专利高精度带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116088630B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310195541.3，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权高精度带隙基准电路是由张修竹;吴巍设计研发完成，并于2023-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本高精度带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明公开了高精度带隙基准电路，包括：bandgap电路，采用Cascode电流镜结构，产生正温度系数电流和负温度系数电压；负温度系数电流提取电路，提取bandgap电路产生的负温度系数电压，产生负温度系数电流；电流补偿电路，接收负温度系数电流提取电路输出的电流I0以及bandgap电路产生的正温度系数电流IIN，并输出与正温度系数电流IIN二阶相关的补偿电流Iout。本发明既保留传统的Bandgap电压基准结构简单，工艺兼容性强等优点，又可实现输出电压温度系数低，功耗较低的目标。

本发明授权高精度带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.高精度带隙基准电路，其特征在于，包括： bandgap电路，采用Cascode电流镜结构，产生正温度系数电流IIN和负温度系数电压； 负温度系数电流提取电路，提取bandgap电路产生的负温度系数电压，产生负温度系数电流，并通过MOS管将电流提取电路产生的负温度系数电流和Bandgap电路获取的正温度系数电流IIN合成电流I0； 以及电流补偿电路，接收负温度系数电流提取电路输出的电流I0以及bandgap电路产生的正温度系数电流IIN，并输出与正温度系数电流IIN二阶相关的补偿电流Iout，补偿电流Iout经过poly电阻，再与电流I0在poly电阻的分压结合得到基准电压； 所述电流补偿电路包括MOS管T1，T2，T3，T4，T5，其中，MOS管T1，T2串联，MOS管T3，T4串联，MOS管T4，T5栅极连接构成电流镜，MOS管T1栅极和漏极连接，MOS管T2栅极和漏极连接，MOS管T1，T3栅极连接，MOS管T4栅极和漏极连接，MOS管T3漏极接电源VDD，MOS管T2、T4、T5的源极接地；在MOS管T1和T3的栅极接入电流I0，在MOS管T5的栅极接入电流2IIN，在MOS管T5的漏极接入电流I0和电流IIN。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京邮电大学;南京宇都通讯科技有限公司，其通讯地址为：210000 江苏省南京市文苑路9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。