成都森未科技有限公司孙燥获国家专利权
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龙图腾网获悉成都森未科技有限公司申请的专利一种IGBT器件母排连接结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116047125B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310160352.2，技术领域涉及：G01R1/04；该发明授权一种IGBT器件母排连接结构及方法是由孙燥;李润;何雨龙设计研发完成，并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种IGBT器件母排连接结构及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种IGBT器件母排连接结构及方法。连接结构至少包括短接块和接触弹簧；至少两个接触弹簧以分别贴合母排和测试夹具的方式减小或隔绝连接结构中的杂散电感；其中，母排和测试夹具形成的电路回路在接触弹簧的贴合下在平行叠层中连接。本发明通过设置的短接块和接触弹簧将电路回路在平行叠层连接，并且将电流传感器罗氏线圈叠加，从而缩短电流回路长度，以最小化回路长度、最大限度地减小寄生电感以及尽可能地消除杂散磁场的方式来实现杂散电感的减少。杂散电感的减少能够减小在IGBT器件中，较大didt关断时产生的尖峰电压，防止IGBT器件被击穿，增加IGBT器件的使用寿命和开关损耗。较低的杂散电感还使得在IGBT器件动态测试中测得的动态参数更准确。
本发明授权一种IGBT器件母排连接结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件母排连接结构，其特征在于，所述连接结构包括上下两个短接块13和用于连通短接块13的四个彼此分离设置的接触弹簧14； 上下两个短接块13上的各两个所述接触弹簧14以分别贴合母排11和测试夹具16的方式减小或隔绝连接结构中的杂散电感； 其中，所述母排11和测试夹具16形成的电路回路在所述接触弹簧14的贴合下在平行叠层中连接，所述母排11和测试夹具16上分别设置有与所述接触弹簧14匹配的接触区17；其中， 四个所述接触区17与四个所述接触弹簧14以于竖向两侧分别夹持母排11和测试夹具16的方式形成所述平行叠层，所述平行叠层由上短接块作为第一层、母排11和测试夹具16组成的第二层以及下短接块作为第三层而复合形成。
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