浙江中科玖源新材料有限公司刘国隆获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江中科玖源新材料有限公司申请的专利一种高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116284900B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310075467.1，技术领域涉及：C08J5/18；该发明授权一种高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法是由刘国隆;徐哲设计研发完成，并于2023-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法，所述高介电聚酰亚胺薄膜的制备方法包括：将二胺单体和二酐单体在极性溶剂中进行缩聚反应，得到聚酰胺酸溶液；将所述聚酰胺酸溶液与表面接枝聚偏氟乙烯的石墨烯混合，再进行热亚胺化反应并成膜，即得到所述高介电聚酰亚胺薄膜。本发明提出的一种高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法，通过在聚酰亚胺中引入表面接枝聚偏氟乙烯的石墨烯，使所得聚酰亚胺薄膜在获得高介电常数的同时，还具有高击穿强度和低介电损耗。
本发明授权一种高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高介电聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、将二胺单体和二酐单体在极性溶剂中进行缩聚反应，得到聚酰胺酸溶液； S2、将步骤S1得到的聚酰胺酸溶液与表面接枝聚偏氟乙烯的石墨烯混合，再进行热亚胺化反应并成膜，即得到所述高介电聚酰亚胺薄膜； 步骤S2中，所述表面接枝聚偏氟乙烯共聚物的石墨烯的用量是二胺单体和二酐单体总质量的1-10wt%； 所述表面接枝聚偏氟乙烯的石墨烯是通过下述方法制备而成： 将氧化石墨烯与羟基化二苯甲酮进行酯化缩合反应后，再进行还原，得到键合有二苯甲酮的石墨烯；将所得键合有二苯甲酮的石墨烯加入含双键的聚偏氟乙烯溶液中，在紫外光条件下进行自由基聚合，即得到所述表面接枝聚偏氟乙烯的石墨烯； 所述含双键的聚偏氟乙烯是通过将聚偏氟乙烯与有机碱进行加热反应后得到；所述有机碱为四丁基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵或四甲基氢氧化铵中的至少一种。
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