长鑫存储技术有限公司郭帅获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利三维半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118335720B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310007594.8，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权三维半导体结构及其制备方法是由郭帅设计研发完成，并于2023-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种三维半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决存储电容的薄膜厚度均匀性的表征方法难度大的技术问题，该三维半导体结构包括衬底、堆叠结构、接触垫和测试结构，堆叠结构位于衬底上，接触垫位于堆叠结构背离衬底一侧的表面，且接触垫与电容结构中的第一电极阵列电性连接；测试结构位于堆叠结构背离衬底一侧的表面上，测试结构包括第一测试焊盘和多个第二测试焊盘，第一测试焊盘与接触垫电连接，多个第二测试焊盘分别与电容结构中与其对应的第二电极电连接，测试结构被配置为测试电容结构的电压。本申请能够降低表征电容薄膜厚度均匀性的难度，提高测试精度，同时还可以仿真模拟测试多个并联电容的性能，简化制备工艺。
本发明授权三维半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 堆叠结构，位于所述衬底上，所述堆叠结构中具有电容结构，所述电容结构包括第一电极阵列和多个第二电极，所述第一电极阵列包括呈阵列排布的多个第一电极，各第一电极和第二电极之间设置有介质层，其中，各第一电极沿第一方向延伸；多个所述第二电极沿第一方向间隔层叠设置，任意相邻两个所述第二电极之间设置有支撑层；所述第一方向为所述衬底的厚度方向； 接触垫，位于所述堆叠结构背离所述衬底一侧的表面，且所述接触垫与所述第一电极阵列电性连接； 测试结构，位于所述堆叠结构背离所述衬底一侧的表面上，所述测试结构包括第一测试焊盘和多个第二测试焊盘，所述第一测试焊盘与所述接触垫电连接，多个所述第二测试焊盘分别与其对应的所述第二电极电连接，所述测试结构被配置为测试所述电容结构的电压。
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