中国科学院半导体研究所梁松获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利双光栅半导体激光器的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115832868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211730474.2，技术领域涉及：H01S5/125；该发明授权双光栅半导体激光器的制作方法是由梁松;郭竟;朱旭愿;李振宇;李欢设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本双光栅半导体激光器的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双光栅半导体激光器的制作方法，包括：在衬底的上表面依次生长第一量子阱材料层、第一光栅材料层、间隔层以及第二光栅材料层，构成激光器的大致轮廓，并将激光器划分为分布反射镜区和分布反馈区；去除分布反馈区的第二光栅材料层；分别在分布反射镜区以及分布反馈区制作第一光栅以及第二光栅；在第一光栅与第二光栅之上生长包层材料；在分布反馈区的包层材料上制作第一P电极以及在衬底的下表面制作第一N电极。
本发明授权双光栅半导体激光器的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种双光栅半导体激光器的制作方法，包括： 在第一衬底的上表面依次生长第一量子阱材料层、第一光栅材料层、间隔层以及第二光栅材料层，构成激光器的大致轮廓，并将所述激光器划分为分布反射镜区和分布反馈区； 去除所述分布反馈区的第二光栅材料层； 分别在所述分布反射镜区以及所述分布反馈区制作第一光栅以及第二光栅； 在所述第一光栅与所述第二光栅之上生长包层材料； 在所述分布反馈区的所述包层材料上制作第一P电极以及在所述第一衬底的下表面制作第二N电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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