杭州富芯半导体有限公司曹文康获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116017975B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211732029.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由曹文康设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件的电容结构包括下电极、与下电极相对的上电极和环绕下电极和上电极的栅介质。其中，电容结构位于经过至少两次刻蚀得到的沟槽内，沟槽包括具有第一宽度的沟槽上部和具有第二宽度的沟槽下部，第一宽度小于第一宽度；下电极位于沟槽下部；上电极位于沟槽上部。如此，一方面通过多次刻蚀使下电极的宽度减小，还通过缩小沟槽上部宽度的方式，使沟槽与源区以上下叠加的方式共用同一垂直空间，进一步减小沟槽和源区的宽度和，使本申请半导体实施例的单元面积更小。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括电容结构，所述电容结构包括下电极、与下电极相对的上电极和环绕所述下电极和上电极的栅介质，其特征在于：所述电容结构位于经过至少两次刻蚀得到的沟槽内，所述沟槽包括具有第一宽度的沟槽上部和具有第二宽度的沟槽下部，所述第一宽度小于所述第二宽度；所述下电极位于所述沟槽下部；所述上电极位于所述沟槽上部； 所述下电极的宽度为所述沟槽下部的高度的110。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州富芯半导体有限公司，其通讯地址为：310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1301；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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