深圳市华星光电半导体显示技术有限公司章仟益获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013935B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211678208.X，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权显示面板及其制作方法是由章仟益;李雪爱设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种显示面板及其制作方法。其包括基板、第一金属层、间隔层以及器件功能层；第一金属层设置于基板上，并包括间隔设置的第一子部和第二子部；间隔层覆盖第一子部和第二子部，间隔层中设置有位于第一子部和第二子部之间的凹槽；器件功能层设置于间隔层远离第一金属层的一侧，并包括薄膜晶体管器件以及填充于凹槽内的隔垫部。本发明可以减小间隔层上产生的段差，提高间隔层的平坦度；此外，隔垫部可以采用薄膜晶体管器件同层材料进行制备，进而可以节省工艺工序，降低工艺成本。
本发明授权显示面板及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，包括： 基板； 第一金属层，设置于所述基板上，并包括间隔设置的第一子部和第二子部； 间隔层，覆盖所述第一子部和所述第二子部，所述间隔层中设置有位于所述第一子部和所述第二子部之间的凹槽； 器件功能层，设置于所述间隔层远离所述第一金属层的一侧，并包括薄膜晶体管器件以及填充于所述凹槽内的隔垫部； 所述器件功能层包括设置于所述间隔层远离所述第一金属层一侧的半导体层、设置于所述半导体层远离所述间隔层一侧的绝缘层以及设置于所述绝缘层远离所述半导体层一侧的第二金属层，所述半导体层包括设置于所述间隔层远离所述第一子部一侧的有源部，所述绝缘层包括设置于有源部远离所述间隔层一侧的栅极绝缘部，所述第二金属层包括设置于所述栅极绝缘部远离所述有源部一侧的栅极； 其中，所述薄膜晶体管器件包括所述有源部、所述栅极绝缘部以及所述栅极，所述半导体层、所述绝缘层以及所述第二金属层中的至少一者还填充于所述凹槽内。
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