山东大学王守志获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种氮化镓/金属氧化物复合电极材料及制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230413B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211660156.3，技术领域涉及：H01G11/30；该发明授权一种氮化镓/金属氧化物复合电极材料及制备方法和应用是由王守志;吕松阳;张雷;王国栋;谢雪健;徐现刚设计研发完成，并于2022-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓/金属氧化物复合电极材料及制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种氮化镓金属氧化物复合材料及制备方法和应用。本发明首先将GaN单晶晶片进行腐蚀，得到多孔GaN单晶薄膜；然后将所述单晶薄膜浸泡于金属盐水溶液中，经水热反应、烧结得到氮化镓金属氧化物复合电极材料；将电极材料与导电剂、粘结剂混合研磨，加入N‑甲基吡咯烷酮制得浆料，再将浆料涂覆在集流体上，即得用于组装超级电容器的工作电极。本发明的氮化镓金属氧化物复合电极材料具有较大的比表面积和丰富的活性位点，有利于在化学储能过程中促进电解液的吸附和充分反应，并减少电极材料在大电流冲击下的体积膨胀和材料结构的坍塌；所得超级电容器具有较大的能量密度、可观的比容量和优异的倍率性能且具有超长的循环寿命。
本发明授权一种氮化镓/金属氧化物复合电极材料及制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓金属氧化物复合电极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将GaN单晶晶片进行电化学腐蚀，制备多孔GaN单晶薄膜； 2将金属盐和尿素溶于去离子水中，得到混合溶液A； 3将步骤1的所述多孔GaN单晶薄膜置于步骤2所述的混合溶液A中，然后转入恒温箱中进行水热反应，将反应后的多孔GaN单晶薄膜取出，分别用去离子水和乙醇超声清洗30分钟，再置于50-80℃的恒温干燥箱中干燥12-24小时，得到氮化镓金属氧化物复合材料前驱体； 4将所述步骤3中干燥后的前驱体置入管式炉中，通入惰性气体，以10℃min的升温速率将温度由室温升至300-500℃，然后恒温0.5-3h进行烧结，最后自然降温至室温，得到氮化镓金属氧化物复合电极材料； 所述步骤1中的GaN单晶晶片为金属有机化合物气相沉积法生长得到的GaN单晶晶片，所述氮化镓的厚度为2μm，蓝宝石衬底为500μm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东大学，其通讯地址为：250100 山东省济南市历下区山大南路27号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号