天津大学杜伯学获国家专利权
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龙图腾网获悉天津大学申请的专利高压交流挤包绝缘电缆电场分布的计算方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116257897B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211592502.9，技术领域涉及：G06F30/10；该发明授权高压交流挤包绝缘电缆电场分布的计算方法及系统是由杜伯学;吴优;李忠磊设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本高压交流挤包绝缘电缆电场分布的计算方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高压交流挤包绝缘电缆电场分布的计算方法及系统，属于电气工程技术领域，先构建高压交流挤包绝缘电缆的绝缘层的非均质结构几何模型，再分别构建绝缘层的晶区的第一分子结构模型和绝缘层的无定形区的第二分子结构模型，基于第一分子结构模型进行分子动力学模拟计算，得到晶区的介电参数，基于第二分子结构模型进行分子动力学模拟计算，得到无定形区的介电参数，最后将非均质结构几何模型、晶区的介电参数和无定形区的介电参数导入仿真软件进行仿真计算，得到绝缘层的电场分布结果，从而在考虑绝缘层内部非均质结构的基础上进行电场的分布计算，能够得到更加全面、准确的电场分布结果。
本发明授权高压交流挤包绝缘电缆电场分布的计算方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种高压交流挤包绝缘电缆电场分布的计算方法，其特征在于，所述计算方法包括： 构建高压交流挤包绝缘电缆的绝缘层的非均质结构几何模型； 分别构建所述绝缘层的晶区的第一分子结构模型和所述绝缘层的无定形区的第二分子结构模型；基于所述第一分子结构模型进行分子动力学模拟计算，得到所述晶区的介电参数；基于所述第二分子结构模型进行分子动力学模拟计算，得到所述无定形区的介电参数； 将所述非均质结构几何模型、所述晶区的介电参数和所述无定形区的介电参数导入仿真软件进行仿真计算，得到所述绝缘层的电场分布结果。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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