天津三安光电有限公司辛秀峰获国家专利权
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龙图腾网获悉天津三安光电有限公司申请的专利光电二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130528B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211533423.0，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权光电二极管及其制备方法是由辛秀峰;宋明辉;王园园;赵宏伟;陈文浚设计研发完成，并于2022-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体电子器件技术领域，提供一种光电二极管及其制备方法。光电二极管至少包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；器件层，设于第一表面与第二表面之间，依次包括邻近第一表面的N型掺杂区、非掺杂的本征层I层和邻近第二表面的P型掺杂区；截止环，围绕衬底上端的外周设置且与P型掺杂区为间隔设置，截止环的上表面与第二表面位于同一平面内；光敏区，位于器件层的上表面上方，且至少位于P型掺杂区的上方；氧化环，设于光敏区的外周区域，与第二表面之间设有氧化层；其中，P型掺杂区包括相邻设置的深掺杂区和浅掺杂区，深掺杂区和浅掺杂区位于光敏区。采用这种结构设置的光电二极管，可提升光电二极管的短波响应能力。
本发明授权光电二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光电二极管，包括： 衬底，具有相对的第一表面和第二表面； 器件层，设于所述第一表面与所述第二表面之间，依次包括邻近所述第一表面的N型掺杂区、非掺杂的本征层和邻近所述第二表面的P型掺杂区； 截止环，围绕所述衬底上端的外周设置且与所述P型掺杂区为间隔设置，所述截止环的上表面与所述第二表面位于同一平面内； 光敏区，位于所述器件层的上表面上方，且至少位于所述P型掺杂区的上方； 氧化环，设于所述光敏区的外周区域，所述氧化环与所述第二表面之间设有氧化层； 其中，所述P型掺杂区包括相邻设置的深掺杂区和浅掺杂区，所述深掺杂区和所述浅掺杂区位于所述光敏区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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