珠海冠宇电池股份有限公司薛佳宸获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海冠宇电池股份有限公司申请的专利一种包覆型LiSi-C材料、极片和电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692667B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211449298.5，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种包覆型LiSi-C材料、极片和电池是由薛佳宸;刘春洋;范洪生;郭盼龙设计研发完成，并于2022-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种包覆型LiSi-C材料、极片和电池在说明书摘要公布了：本发明涉及电池技术领域，具体涉及一种包覆型LiSi‑C材料及其制备方法、包括该包覆型LiSi‑C材料的极片和电池。包覆型LiSi‑C材料具有核壳结构，包覆型LiSi‑C材料的核为LiSi‑C颗粒，包覆型LiSi‑C材料的壳为含氧包覆层，LiSi‑C颗粒具有LiSi相与C相均匀掺杂的连续相结构；LiSi‑C颗粒的X射线衍射图中存在特征峰，特征峰在2θ归属于23°‑24°范围内和在2θ归属于41°‑42°范围内。本发明的包覆型LiSi‑C材料能够提升循环性能和在水系浆料的稳定性；本发明的极片具有更好的循环稳定性和更低的膨胀性能；本发明的电池具有更高的首次充放电效率、更低的变形率和更好的循环性能。
本发明授权一种包覆型LiSi-C材料、极片和电池在权利要求书中公布了：1.一种包覆型LiSi-C材料，其特征在于，所述包覆型LiSi-C材料具有核壳结构，其中，所述包覆型LiSi-C材料的核为LiSi-C颗粒，所述包覆型LiSi-C材料的壳为含氧包覆层，所述LiSi-C颗粒具有LiSi相与C相均匀掺杂的连续相结构；所述LiSi-C颗粒的X射线衍射图中存在特征峰，所述特征峰在2θ归属于23°-24°范围内和在2θ归属于41°-42°范围内； 在所述包覆型LiSi-C材料的含氧包覆层表面深度10nm处，O元素的含量为O1％，深度100nm处，O元素的含量为O2％，O1％＞O2％。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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