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龙图腾网获悉深圳芯能半导体技术有限公司申请的专利一种沟槽栅IGBT的制备方法及沟槽栅IGBT、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115588614B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211350011.3，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权一种沟槽栅IGBT的制备方法及沟槽栅IGBT、芯片是由杨磊;刘杰设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽栅IGBT的制备方法及沟槽栅IGBT、芯片在说明书摘要公布了：本发明属于功率器件技术领域，提供了一种沟槽栅IGBT及其制备方法、芯片。用光罩在晶圆表面形成对准标记，确定划片道和芯片区域，方便后面各层光罩的对准。然后在终端区域内隔离层的掩盖下向漂移层的正面注入P型掺杂离子以在终端区域内形成多个P型环，在元胞区域形成多个沟槽，在每个沟槽内形成栅氧化层，并淀积多晶硅材料形成多晶硅层，向漂移层的正面注入P型掺杂离子形成P型阱区，然后注入N型掺杂离子形成N型源区和截止环区，由介质层上的接触孔注入P型掺杂离子在N型源区上形成欧姆接触杂质层，并淀积金属材料得到栅电极、发射电极以及终端金属层，通过设计新颖的工艺和结构，在不用多晶硅光罩的情况下形成IGBT结构，节省了多晶硅光罩。

本发明授权一种沟槽栅IGBT的制备方法及沟槽栅IGBT、芯片在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅IGBT的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 采用第一光罩在漂移层的正面的预设位置形成对准标记；其中，所述对准标记用于确定芯片区域，所述芯片区域包括元胞区域和终端区域； 在所述漂移层的正面形成热氧化层，并在第二光罩下刻蚀所述热氧化层形成预设图形的隔离层；其中，所述隔离层位于所述终端区域内； 以第三光罩为掩膜，向所述漂移层的正面注入P型掺杂离子以在所述终端区域内形成多个P型环； 采用第四光罩在所述漂移层的正面形成多个沟槽，并在每个所述沟槽内形成栅氧化层；其中，多个所述沟槽位于所述元胞区域； 在所述漂移层的正面淀积多晶硅材料，并对所述多晶硅材料进行刻蚀处理以在所述沟槽内形成多晶硅层； 向所述漂移层正面注入P型掺杂离子形成P型阱区，并采用第五光罩向所述漂移层正面注入N型掺杂离子形成N型源区和截止环区； 形成介质层，并采用第六光罩在所述介质层上形成接触孔； 以所述介质层为掩膜在所述接触孔处注入P型掺杂离子形成欧姆接触杂质层，并淀积金属材料，在第七光罩的掩盖下刻蚀金属材料得到栅电极、发射电极以及终端金属层；其中，所述发射电极与所述欧姆接触杂质层接触，所述终端金属层与所述P型环和所述截止环区接触； 在所述漂移层的背面形成缓冲层，并在所述缓冲层的背面注入P型掺杂离子形成集电区，在所述集电区上溅射金属材料形成集电极。

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