福建金石能源有限公司林朝晖获国家专利权
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龙图腾网获悉福建金石能源有限公司申请的专利一种异质结太阳能电池的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425114B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211215493.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种异质结太阳能电池的制造方法是由林朝晖;林楷睿设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种异质结太阳能电池的制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种异质结太阳能电池的制造方法，它包括如下步骤，A，对半导体基板进行双面制绒；B，在半导体基板表面上形成隧穿氧化层；C，在隧穿氧化层上形成N型多晶硅层；D，在半导体基板向光面的N型多晶硅层上形成掩膜层；E，从半导体基板背光面进行等离子处理。本发明的目的在于提供一种异质结太阳能电池的制造方法，其工艺较简洁，既保持了N型多晶硅层高导电和低设备投资成本的优势，又保持了异质结良好钝化、高开路电压的技术特点。
本发明授权一种异质结太阳能电池的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：它包括如下步骤， A，对半导体基板进行双面制绒； B，在半导体基板双面上形成隧穿氧化层； C，在隧穿氧化层上形成N型多晶硅层； D，在半导体基板向光面的N型多晶硅层上形成掩膜层； E，从半导体基板背光面进行等离子处理； F，去除半导体基板背光面上的N型多晶硅层和隧穿氧化层； G，去除掩膜层； H，在半导体基板背光面上形成第二本征非晶硅层； I，在第二本征非晶硅层上形成P型掺氧微晶硅层； 所述步骤E中的等离子处理为，将氢气或含有氢气的混合气体离子化，从半导体基板背光面穿入对半导体基板的表面进行等离子处理，以利用氢气分子离子化后穿过半导体基板修复向光面半导体基板界面与隧穿氧化层间的缺陷态密度。
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