上海华虹宏力半导体制造有限公司汤志林获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种分栅快闪存储器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411046B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211064569.5，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权一种分栅快闪存储器的制备方法是由汤志林;梁海林;付永琴;王卉;曹子贵设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种分栅快闪存储器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种分栅快闪存储器的制备方法，包括：提供衬底，在衬底上形成两个对称设置的浮栅层及位于两个浮栅层之间的源线层；在浮栅层外侧的衬底上依次形成第一氧化层及字线材料层，字线材料层覆盖第一氧化层；除去部分字线材料层，剩余的字线材料层构成字线层，第一氧化层未被字线层覆盖的部分构成阻挡层，第一氧化层被字线层覆盖的部分构成隧穿氧化层；采用湿法刻蚀工艺减薄所述阻挡层的至少部分厚度，以减小侧向侵蚀在阻挡层内形成的缺口，进而有效减少阻挡层内的缺口对介质层及插塞的不良影响，避免所述缺口导致的插塞填充不良甚至丢失，提高所述分栅快闪存储器的良率。
本发明授权一种分栅快闪存储器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，在所述衬底上形成两个对称设置的浮栅层及位于两个所述浮栅层之间的源线层； 在所述浮栅层外侧的所述衬底上依次形成第一氧化层及字线材料层，所述字线材料层覆盖所述第一氧化层； 所述衬底包括器件区及逻辑区，所述浮栅层及所述源线层位于所述器件区上，所述第一氧化层及所述字线材料层覆盖所述衬底的器件区及逻辑区； 除去部分所述字线材料层，剩余的所述字线材料层构成字线层，所述第一氧化层未被所述字线层覆盖的部分构成阻挡层，所述第一氧化层被所述字线层覆盖的部分构成隧穿氧化层；其中，除去部分所述字线材料层构成所述字线层时，同时除去所述字线层外的所述第一氧化层的部分厚度，使所述阻挡层的厚度小于所述隧穿氧化层的厚度，所述阻挡层的材料为氧化硅； 采用湿法刻蚀工艺减薄所述阻挡层的至少部分厚度； 形成第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述字线层及所述隧穿氧化层的侧壁。
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