京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司刘艳获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司申请的专利一种显示面板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274704B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210913509.X，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权一种显示面板及其制备方法、显示装置是由刘艳;王小元;杨国栋;陈俊明;雷丹设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种显示面板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，包括设置在衬底基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括依次设置在所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层；所述有源层在远离所述衬底基板的一侧设置有第一源漏极、第二源漏极、漏源极；所述第一源漏极和所述第二源漏极为源极或漏极中的同一种，所述漏源极为源极或漏极中的另一种。本申请通过关于漏源极对称设置的第一源漏极和第二源漏极优化沟道设计，减小了源漏栅极上的电阻、电容，提高像素充电饱和率，通过对称设置信号的整面均一性，提高显示效果，降低产品的功耗。
本发明授权一种显示面板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，包括： 衬底基板； 设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括依次设置在所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层；所述有源层在远离所述衬底基板的一侧设置有第一源漏极、第二源漏极、漏源极；所述第一源漏极和所述第二源漏极为源极或漏极中的同一种，所述漏源极为源极或漏极中的另一种； 其中，所述漏源极在所述衬底基板上的正投影与所述第一源漏极在所述衬底基板上的正投影、第二源漏极在所述衬底基板上的正投影均未交叠； 像素电极，所述像素电极通过第一过孔与所述第一源漏极连接以及通过第二过孔与所述第二源漏极连接；所述漏源极连接数据线，所述漏源极设置在所述薄膜晶体管所在区域的中心线上，第一源漏极和第二源漏极关于所述中心线对称设置。
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