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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利抗单粒子辐照的SiC MOSFET器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148821B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210835540.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权抗单粒子辐照的SiC MOSFET器件及其制造方法是由张腾;黄润华;杨晓磊;李士颜;柏松设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本抗单粒子辐照的SiC MOSFET器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了抗单粒子辐照的SiCMOSFET器件及其制造方法，该器件在第一导电类型漂移区上依次采用第二导电类型外延，JFET区沟槽刻蚀，外延第一导电类型SiC的方式，利用深第二导电类型阱区形成器件近表面的半超结结构，在保证器件反向耐压的同时提高JFET区第一导电类型掺杂浓度，降低JFET区电阻。JFET区上方设置额外的加厚氧化层，降低单粒子辐照时栅介质区域的电场强度。同时第二导电类型外延区在指向漂移区的方向上掺杂浓度呈梯度缓慢降低，这一结构能同时提高器件的抗单粒子烧毁能力和抗单粒子栅穿能力，并使器件的静态电学特性有所提升。该结构可与外延缓冲层、局部SOI等辐照加固手段复合使用，进一步提升抗辐照能力。

本发明授权抗单粒子辐照的SiC MOSFET器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子辐照的SiCMOSFET器件，其特征在于，采用多原胞结构，原胞包括： 第一导电类型重掺杂衬底区； 位于所述第一导电类型重掺杂衬底区背面的漏电极； 位于所述第一导电类型重掺杂衬底区上方的第一导电类型轻掺杂漂移区； 位于所述第一导电类型轻掺杂漂移区上方的第二导电类型缓变区； 位于所述第二导电类型缓变区上方的第二导电类型阱区； 位于相邻2个所述第二导电类型阱区缓变区中间的第一导电类型重掺杂JFET区； 位于所述第二导电类型阱区内部，靠近半导体表面的第一导电类型重掺杂源区； 位于部分所述第一导电类型重掺杂JFET区上方的绝缘介质层； 位于部分所述第二导电类型阱区和部分所述第一导电类型重掺杂源区上方的栅介质层； 位于所述栅介质层上方的栅电极； 位于部分所述栅介质层、所述栅电极和部分所述第一导电类型重掺杂源区上方的钝化保护层； 位于所述钝化保护层和部分所述第一导电类型重掺杂源区、部分所述第二导电类型阱区上方的源电极； 所述第二导电类型缓变区的掺杂浓度大致呈垂直方向的单调变化，其上部接近器件表面的区域掺杂浓度高，其底部靠近第一导电类型轻掺杂漂移区的掺杂浓度低，且其底部掺杂浓度与所述第一导电类型轻掺杂漂移区的掺杂浓度接近。

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