合肥工业大学邱龙臻获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利一种基于双模调制突触晶体管器件的图像保密性成像方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117248B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210782694.3，技术领域涉及：H10K30/65；该发明授权一种基于双模调制突触晶体管器件的图像保密性成像方法是由邱龙臻;王恒;姜龙龙;王晓鸿;吴孝成设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于双模调制突触晶体管器件的图像保密性成像方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于双模调制突触晶体管器件的图像保密性成像方法，是通过具有光活性层的突触晶体管，选用两种波长的光作为双模刺激，利用突触晶体管在双模刺激下的类突触行为响应，设计阵列实现图像的保密性成像。本发明的突触晶体管器件的光响应性能和电学性能优异，且制作方法简单、成本低，具有很好的应用前景。
本发明授权一种基于双模调制突触晶体管器件的图像保密性成像方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双模调制突触晶体管器件的图像保密性成像方法，其特征在于：所述突触晶体管器件是在作为栅电极的基底上设置有绝缘介电层，在所述绝缘介电层上设置有修饰层，在所述修饰层上呈阵列排布有若干光敏性电荷传输单元，每个光敏性电荷传输单元上设置有源电极和漏电极；所述光敏性电荷传输单元所采用的光敏材料P3HT80-b-PPI30对两种波长的光具有类突触行为； 先在无光刺激下对光敏性电荷传输单元施加电压，所达到的电流为初始暗电流；然后对光敏性电荷传输单元施加光刺激，所达到的电流为兴奋性突触后电流EPSC，其与初始暗电流的差值记为ΔEPSC；通过调整两种波长光的强度，使光敏性电荷传输单元在两种波长光刺激下的ΔEPSC相等；撤掉光刺激后，光敏性电荷传输单元的电流值会逐渐衰变； 对阵列中各光敏性电荷传输单元分别施加两种波长光中的一种，利用施加两种波长光刺激时相同的ΔEPSC实现原始图像的保密；然后利用两种波长光刺激后衰变速度的差异，通过采集衰变过程中各光敏性电荷传输单元的电流，实现原始图像的解密。
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