上海华力集成电路制造有限公司朱柠镕获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种鳍式场效应晶体管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101416B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210744429.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种鳍式场效应晶体管的制造方法是由朱柠镕;翁文寅设计研发完成，并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种鳍式场效应晶体管的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种鳍式场效应晶体管的制造方法。该鳍式场效应晶体管的制造方法包括：提供具有鳍片的半导体衬底；采用第一N型离子对所述鳍片的部分区域注入N型离子，并对所述鳍片进行第一尖峰退火处理，形成反掺杂区；采用第一剂量的第二N型离子对所述反掺杂区两侧的鳍片的部分区域注入N型离子，并对所述鳍片进行第二尖峰退火处理，形成浅掺杂区；采用第二剂量的第二N型离子对所述反掺杂区两侧且位于所述浅掺杂区外围的鳍片注入N型离子。通过形成反掺杂区降低热载流子效应，并增加尖峰退火工艺改善反掺杂离子注入损伤，并改变源漏区的离子注入方式，还对栅极氧化层进行高温退火工艺，提升薄膜质量，降低热载流子效应的负面影响。
本发明授权一种鳍式场效应晶体管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供具有鳍片2的半导体衬底1，相邻所述鳍片2之间形成有浅沟槽隔离结构3； 采用第一N型离子对所述鳍片2的部分区域注入N型离子，并对所述鳍片2进行第一尖峰退火处理，形成反掺杂区4； 采用第一剂量的第二N型离子对所述反掺杂区4两侧的鳍片2的部分区域注入N型离子，并对所述鳍片2进行第二尖峰退火处理，形成浅掺杂区5； 采用第二剂量的第二N型离子对所述反掺杂区4两侧且位于所述浅掺杂区5外围的鳍片2注入N型离子，并对所述鳍片2进行第三尖峰退火处理，形成源区7和漏区8，其中，第二剂量大于第一剂量； 所述反掺杂区4从所述浅掺杂区5的侧面延伸到所述浅掺杂区5的至少部分底部下方，以至少部分地包围所述浅掺杂区5，且所述反掺杂区4分别与其两侧的所述浅掺杂区5、源区7、漏区8不相连。
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