隆基乐叶光伏科技(西咸新区)有限公司吴兆获国家专利权
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龙图腾网获悉隆基乐叶光伏科技(西咸新区)有限公司申请的专利一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188844B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210738973.X，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件是由吴兆;解俊杰设计研发完成，并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及光伏技术领域。太阳能电池包括：硅基底，以及设置在硅基底向光面的低吸收系数层；低吸收系数层与所述硅基底的向光面具有相同的导电类型；在小于或等于400nm的波段内，低吸收系数层的吸收系数，小于硅基底的吸收系数；低吸收系数层的厚度x为15‑200nm；低吸收系数层与硅基底直接接触。低吸收系数层与硅基底的向光面具有相同的导电类型，利于少数载流子的传输。低吸收系数层会将小于或等于400nm的波段内的一部分光吸收，硅基底吸收的小于或等于400nm的波段内的光减少了，可以减少硅基底向光面中非平衡载流子的浓度。低吸收系数层充分吸收小于或等于400nm的波段内的光。
本发明授权一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅基底，以及设置在所述硅基底向光面的低吸收系数层； 所述低吸收系数层与所述硅基底的向光面具有相同的导电类型； 在小于或等于400nm的波段内，所述低吸收系数层的吸收系数，小于所述硅基底的吸收系数； 所述低吸收系数层的厚度x为15-200nm；所述厚度所在的方向与所述硅基底和所述低吸收系数层的设置方向平行； 所述低吸收系数层与所述硅基底直接接触；或，所述太阳能电池还包括：位于所述硅基底和所述低吸收系数层之间的缓冲层；所述缓冲层的材料选自：氧化硅、硫化锌、碳化硅、氮化铝、氮化硅中的至少一种； 所述低吸收系数层的厚度；其中，为所述低吸收系数层在200-400nm波段的最小消光系数。
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