华南师范大学尹以安获国家专利权
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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种极化结与极化掺杂结构的双沟道SBD器件与制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084280B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210722669.6，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种极化结与极化掺杂结构的双沟道SBD器件与制备方法是由尹以安;廖峰波设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种极化结与极化掺杂结构的双沟道SBD器件与制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种极化结与极化掺杂结构的双沟道SBD器件与制备方法，其包括层叠于基底上由沟道层插入层势垒层组成的双沟道结构，位于沟道结构上的极化结，极化结表面设置有欧姆接触阳极，分别与第一沟道结构的侧壁接触的肖特基接触阳极和欧姆接触阴极，肖特基接触阳极延伸至欧姆接触阳极表面，第二势垒层为极化掺杂AlGaN层，其Al组分沿基底指向沟道层的方向上逐渐增大，极化结由极化GaN层和p型极化掺杂AlGaN帽层组成，AlGaN帽层的Al组分沿基底指向沟道层的方向上逐渐减小，该双沟道SBD器件具备开启电压低、导通电阻低和击穿电压高的特性，适用于高温高压环境下工作。
本发明授权一种极化结与极化掺杂结构的双沟道SBD器件与制备方法在权利要求书中公布了：1.一种极化结与极化掺杂结构的双沟道SBD器件，其特征在于，其包括，基底，依次层叠于基底上的缓冲层和第一沟道层，位于第一沟道层上的半导体层叠结构，位于所述半导体层叠结构表面的极化结，位于所述极化结表面的欧姆接触阳极，分别位于第一沟道层上与半导体层叠结构两侧面接触的肖特基接触阳极和欧姆接触阴极，所述肖特基接触阳极延伸至所述欧姆接触阳极的表面； 所述半导体层叠结构由依次层叠于第一沟道层上的第一插入层、第一势垒层、第二沟道层、第二插入层和第二势垒层组成，所述第二势垒层选用极化掺杂AlGaN层，所述极化掺杂AlGaN层的Al组分沿基底指向沟道层的方向上逐渐增大至x，其中0.3≤x≤0.6； 所述极化结由依次层叠的极化GaN层和p型极化掺杂AlGaN帽层组成，所述AlGaN帽层的Al组分沿基底指向沟道层的方向上由y逐渐减小，其中0.3≤y≤0.6。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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