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龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利横向结构AlN外延的肖特基二极管及制作工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207097B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210727041.5，技术领域涉及：H10D62/85；该发明授权横向结构AlN外延的肖特基二极管及制作工艺是由刘国梁;方雪冰;樊永辉;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本横向结构AlN外延的肖特基二极管及制作工艺在说明书摘要公布了：本发明公开一种横向结构AlN外延的肖特基二极管及制作工艺，该二极管包括：衬底层，具有相对设置的第一表面和第二表面；背面电极，设置于衬底层的第一表面；AlN缓冲层、UID‑AlN层及N‑AlN层依次层叠设置于衬底层的第二表面；GaN保护层生长于N‑AlN层表面；隔离环，环设于UID‑AlN层、N‑AlN层和GaN保护层的边缘；欧姆接触金属层沉积于GaN保护层上；肖特基接触金属层沉积于GaN保护层上；SiO2钝化层沉积于欧姆接触金属层、肖特基接触金属层、隔离环和GaN保护层上。本发明旨在实现肖特基二极管满足更高击穿电压、更低导通压降以及在高频、低开关损耗的使用需求。

本发明授权横向结构AlN外延的肖特基二极管及制作工艺在权利要求书中公布了：1.一种横向结构AlN外延的肖特基二极管，包括： 衬底层，所述衬底层具有相对设置的第一表面和第二表面； 背面电极，设置于所述衬底层的第一表面； AlN缓冲层，并在所述AlN缓冲层上外延生长以形成n型AIN外延势垒层，所述n型AIN外延势垒层为高电阻率的外延层，其中，所述n型AIN外延势垒层划分为UID-AlN层及N-AlN层，所述AlN缓冲层、UID-AlN层及N-AlN层依次层叠设置于所述衬底层的第二表面；所述衬底层与AlN的晶格匹配设置； GaN保护层，所述GaN保护层生长于所述N-AlN层表面； 隔离环，所述隔离环环设于所述UID-AlN层、N-AlN层和GaN保护层的边缘； 欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层沉积于所述GaN保护层上，且靠近所述隔离环设置； 肖特基接触金属层，所述肖特基接触金属层沉积于所述GaN保护层上，且所述肖特基接触金属层位于所述肖特基二极管的中心位置； SiO2钝化层，所述SiO2钝化层沉积于所述欧姆接触金属层、肖特基接触金属层、隔离环和GaN保护层上。

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