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龙图腾网获悉宁波大学申请的专利一种基于相变材料的非易失性移相器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115220248B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210627849.6，技术领域涉及：G02F1/00；该发明授权一种基于相变材料的非易失性移相器是由徐培鹏;张杰英;靳慧敏;吕业刚;张巍;田野设计研发完成，并于2022-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于相变材料的非易失性移相器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于相变材料的非易失性移相器，包括基底以及固定设置在基底上的第一硅波导和混合波导，混合波导包括第二硅波导和Ge2Sb2Te5层，第二硅波导固定设置在基底上，第二硅波导与第一硅波导间隔设置，且第二硅波导的长度方向与第一硅波导的长度方向相平行，Ge2Sb2Te5层固定设置在第二硅波导层上且Ge2Sb2Te5层的长度方向与第二硅波导的长度方向相平行，本发明具有如下优点：本发明移相器具有非易失性，小尺寸、较宽的工作带宽、低插入损耗和串扰等特点，将其构造马赫曾德尔干涉仪2x2光开关，开关插损和串扰都较小。

本发明授权一种基于相变材料的非易失性移相器在权利要求书中公布了：1.一种基于相变材料的非易失性移相器，其特征在于：包括基底（1）以及固定设置在所述基底（1）上的第一硅波导（2）和混合波导，所述混合波导包括第二硅波导（3）和Ge2Sb2Te5层（4），所述第二硅波导（3）固定设置在所述基底（1）上，所述第二硅波导（3）与所述第一硅波导（2）间隔设置，且所述第二硅波导（3）的长度方向与所述第一硅波导（2）的长度方向相平行，所述Ge2Sb2Te5层（4）固定设置在所述第二硅波导层（3）上且所述Ge2Sb2Te5层（4）的长度方向与所述第二硅波导（3）的长度方向相平行，所述Ge2Sb2Te5层（4）的长度与所述第二硅波导（3）的长度相等且所述Ge2Sb2Te5层（4）的宽度范围为250-300nm、高度范围为15-25nm，所述第二硅波导（3）与所述第一硅波导（2）之间的距离范围为100-200nm；当Ge2Sb2Te5处于非晶态时，其折射率和吸收系数较低，混合波导与第一硅波导（2）之间实现相位匹配，光从第一硅波导（2）有效耦合进入加载有Ge2Sb2Te5的混合波导，并在传播一段特定长度后再次耦合回第一硅波导（2）；在此过程中，光主要同加载非晶Ge2Sb2Te5的低损耗混合波导中相互作用，因而整体光传输损耗较小；当Ge2Sb2Te5转变为晶态后，其折射率和吸收系数显著升高，导致混合波导与第一硅波导（2）之间的相位失配，抑制了耦合行为，此时光主要沿第一硅波导（2）传播，避免与高损耗的混合波导相互作用；通过精确设计耦合长度，使得光在非晶态路径中相对于晶态路径累积一个π弧度的相位差；因此，两种态之间可实现约π的非易失相位调制，并在整个切换过程中保持较低插入损耗。

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