中国辐射防护研究院董佳杰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国辐射防护研究院申请的专利一种仿真MCU受辐射故障射注入方法、存储介质及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115221678B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210620132.9，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种仿真MCU受辐射故障射注入方法、存储介质及系统是由董佳杰;赵原;曹勤剑;夏三强;李岩;王晓龙;赵恒椿设计研发完成，并于2022-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种仿真MCU受辐射故障射注入方法、存储介质及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种仿真MCU受辐射故障射注入方法，包括步骤：构建堆栈备份区域，实时记录当前运行数据；检测是否产生中断信号，并在产生中断信号时，判断中断信号的类型；根据中断信号的类型在构建的堆栈备份区域进行修改，并写入原位置，以产生模拟故障注入。本发明还提供一种存储介质及一种仿真MCU受辐射故障射注入系统，采用本发明所述的仿真MCU受辐射故障射注入方法、存储介质及系统实现了脱离实际测试环境，使用软件仿真受辐照器件上动态存储区产生的单粒子翻转现象。
本发明授权一种仿真MCU受辐射故障射注入方法、存储介质及系统在权利要求书中公布了：1.一种仿真MCU受辐射故障射注入方法，其特征在于，包括： 构建堆栈备份区域，实时记录当前运行数据； 检测是否产生中断信号，并在产生中断信号时，判断中断信号的类型； 根据中断信号的类型在构建的堆栈备份区域进行修改，并写入原位置，以产生模拟故障注入； 所述中断信号的类型包括单字节单bit故障注入、单字节双bit故障注入及随机字节单bit故障注入，其中，随机字节单bit故障注入以单字节单bit故障注入为基础，外层嵌套一层循环； 三种类型的所述中断信号的故障注入算法使用GPIO的三个外部中断实现； 所述随机字节单bit故障注入对应修改堆栈备份区域后产生2-10个bit位错误； 所述堆栈备份区域用于记录关键寄存器当前值和堆区地址的当前值，并进行实时更新。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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