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龙图腾网获悉华中科技大学;深圳华中科技大学研究院申请的专利基于铁电纳米空隙的陡峭亚阈值摆幅双极型晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975630B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210604495.3，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权基于铁电纳米空隙的陡峭亚阈值摆幅双极型晶体管及制备方法是由游龙;关曜东;郭喆设计研发完成，并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于铁电纳米空隙的陡峭亚阈值摆幅双极型晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于铁电纳米空隙的陡峭亚阈值摆幅双极型晶体管及制备方法，其中晶体管包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、导电薄膜层、铁电介质薄膜层和栅极，以及顶栅控制信号单元和源漏信号输入单元；顶栅控制信号单元一端与栅极连接，另一端与串联支路连接；源漏信号输入单元的两端分别与导电薄膜层的源极和漏极连接，形成串联支路；所述源漏信号输入单元，用于读取陡峭亚阈值摆幅双极型晶体管的电流；所述顶栅控制信号单元，用于输出电压产生垂直电场进而控制导电薄膜层中纳米空隙的开闭。本发明提出的陡峭亚阈值摆幅双极型晶体管，具有接近为零的关断电流、大导通电流、陡峭的亚阈值摆幅、低功耗以及与传统CMOS工艺相兼容的优势。

本发明授权基于铁电纳米空隙的陡峭亚阈值摆幅双极型晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于铁电纳米空隙的陡峭亚阈值摆幅双极型晶体管，其特征在于，包括由下至上依次设置的衬底601、缓冲层602、导电薄膜层603、铁电介质薄膜层604和栅极605，以及顶栅控制信号单元606和源漏信号输入单元607； 所述顶栅控制信号单元606一端与栅极605连接，另一端与串联支路连接； 所述导电薄膜层603两端分别作为晶体管的源极和漏极，所述源漏信号输入单元607的两端分别与导电薄膜层603两端的源极和漏极连接，形成串联支路；所述源漏信号输入单元607，用于读取陡峭亚阈值摆幅双极型晶体管的电流； 所述顶栅控制信号单元606，用于施加循环电压脉冲，在导电薄膜层603中产生纳米空隙608，通过输出电压产生垂直电场进而控制导电薄膜层603中纳米空隙608的开闭； 所述顶栅控制信号单元606输出为零电压时，导电薄膜层603中纳米空隙608为闭合状态，此时，源漏信号输入单元607用于读取陡峭亚阈值摆幅双极型晶体管的导通电流，晶体管呈现开启状态； 所述顶栅控制信号单元606输出的电压绝对值高于阈值电压时，导电薄膜层603中纳米空隙608为打开状态，此时，源漏信号输入单元607用于读取陡峭亚阈值摆幅双极型晶体管的关断电流，晶体管呈现关闭状态。

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