北京理工大学陈梦璐获国家专利权
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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利基于俘获模式的胶体量子点光导型红外探测器及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295645B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210592007.1，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权基于俘获模式的胶体量子点光导型红外探测器及其制备方法与应用是由陈梦璐;郝群;唐鑫;秦天令;赵雪设计研发完成，并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于俘获模式的胶体量子点光导型红外探测器及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于俘获模式的胶体量子点光导型红外探测器及其制备方法与应用，属于光电探测器技术领域。该探测器包括第一胶体量子点层与相邻设置的第二胶体量子点层，还包括衬底和电极，且第一胶体量子点层相较于第二胶体量子点层更靠近电极设置；第一胶体量子点层的载流子迁移率大于第二胶体量子点层；第二胶体量子点层为p型半导体材料层，该p型半导体材料层中的空穴俘获第一胶体量子点层中的电子并用来降低电子‑空穴间复合噪声。本发明设计的探测器既具备优异的光响应率，又表现出良好的比探测率。
本发明授权基于俘获模式的胶体量子点光导型红外探测器及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种基于俘获模式的胶体量子点光导型红外探测器，其特征在于，所述探测器包括第一胶体量子点层与相邻设置的第二胶体量子点层，还包括衬底和电极，且所述第一胶体量子点层相较于第二胶体量子点层更靠近电极设置； 所述第一胶体量子点层的载流子迁移率大于第二胶体量子点层，且所述第二胶体量子点层为p型半导体材料层，所述第一胶体量子点层为本征型或弱p型或n型半导体材料层，所述第二胶体量子点层中的空穴俘获第一胶体量子点层中的电子并用来降低电子-空穴间复合噪声； 所述探测器的结构自上而下包括外部封装涂层、第二胶体量子点层、第一胶体量子点层、电极及衬底，所述电极为设置在所述衬底上的叉指金属电极或叉指合金电极。
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