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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种提高快恢复二极管抗静电能力的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927420B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210536682.2，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种提高快恢复二极管抗静电能力的方法是由王健;李照;侯斌;杨晓文;黄山圃;胡长青;王英民设计研发完成，并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高快恢复二极管抗静电能力的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高快恢复二极管抗静电能力的方法，属于半导体制作工艺技术领域，旨在解决现有技术中掺铂后因补偿掺杂作用器件有效浓度会有所降低，导致基区导通电阻升高，不利于静电电流泄放，造成器件的静电能力下降的缺陷性技术问题。本发明在主结区有抗静电孔，抗静电孔可以增加PN结周长，提供静电泄放通道。接触孔为实现金属连线与PN结互连，铂掺杂区实现少子寿命控制，提高器件开关速度。阳极形成后，后续通过铝丝将其与封装外壳连接，最终提高快恢复二极管的抗静电能力。其次，通过设计主结区面积有利于器件散热和提高可靠性；然后，增加8个一定尺寸的抗静电孔，有效PN结增加约1倍，有效提升静电泄放能力。

本发明授权一种提高快恢复二极管抗静电能力的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高快恢复二极管抗静电能力的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在N型硅衬底上形成N型外延层，对硅N型外延层的介质层（3）进行光刻，光刻后的介质层（3）通过腐蚀或刻蚀方法形成主结区（2）和终端区（1）；其中，在所述主结区（2）内形成8个离散的孔状区域，孔状区域尺寸453μm×453μm，均匀分布于主结区（2）内； S2、在所述主结区（2）和所述终端区（1）内进行P型离子注入和高温退火，形成P型掺杂区（4）；孔状区域的边缘因P型掺杂区（4）与N型外延层的界面形成额外PN结，构成抗静电孔； S3、形成接触孔区（6），在N型硅衬底的背面形成铂层后，铂层在高温下退火形成铂掺杂区（7）； S4、腐蚀掉N型硅衬底背面多余的铂层，在N型硅衬底的正面沉积或蒸发金属，并在光刻、腐蚀后通过退火形成阳极（8）；在N型硅衬底的背面进行淀积形成阴极（9），得到具有抗静电能力的快恢复二极管； 其中，P型离子注入的杂质为硼，注入能量在50keV-90keV，注入剂量在每平方厘米1E14个-1E16个。

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