厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司郭茂峰获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司申请的专利一种发光二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824010B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210470139.7，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种发光二极管及其制造方法是由郭茂峰;金全鑫;王思琦;田文;赵进超;李士涛;毕京锋设计研发完成，并于2022-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种发光二极管及其制造方法，发光二极管包括：外延层，所述外延层包括依次堆叠的第一半导体层、多量子阱层、电子阻挡层以及第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型彼此相反；多个通孔，位于所述第二半导体层中，贯穿所述第二半导体层并露出所述电子阻挡层的表面；刻蚀阻挡层，位于所述通孔暴露出的所述电子阻挡层的表面；金属纳米层，位于所述通孔中的刻蚀阻挡层的表面；其中，多个所述通孔的底部位于所述刻蚀阻挡层的表面或内部。本发明的发光二极管及其制造方法，在多量子阱层上形成拥有较高刻蚀选择比的电子阻挡层和第二半导体层，对外延层表面的粗糙度以及厚度均匀性的要求显著降低。
本发明授权一种发光二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括： 外延层，所述外延层包括依次堆叠的第一半导体层、多量子阱层、电子阻挡层以及第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型彼此相反； 多个通孔，位于所述第二半导体层中，贯穿所述第二半导体层并露出所述电子阻挡层的表面； 刻蚀阻挡层，位于所述通孔暴露出的所述电子阻挡层的表面，所述刻蚀阻挡层为氧化铝层； 金属纳米层，位于所述通孔中的刻蚀阻挡层的表面； 透明导电层，位于所述第二半导体层的表面，填充所述通孔，并覆盖所述金属纳米层； 其中，多个所述通孔的底部位于所述刻蚀阻挡层的表面或内部。
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