上海华虹宏力半导体制造有限公司李冰寒获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利存储器结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927528B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210428897.2，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权存储器结构及其形成方法是由李冰寒设计研发完成，并于2022-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种存储器结构及其形成方法，其中存储器结构包括：衬底，所述衬底包括第一区和第二区；位于所述第二区上的浮栅结构、以及位于所述浮栅结构上的擦除栅结构；位于所述衬底内的第一掺杂区；位于第一掺杂区内的源区；位于第一区上的源极多晶硅层，源极多晶硅层与源区相接触；位于所述第一区上的源极多晶硅层；位于所述第二区内的字线栅沟道区；位于所述第二区上的字线栅结构。由于源区是通过金属化的源极多晶硅层直接连出，进而可以大幅降低所述源区的寄生电阻。另外，所述字线栅结构的字线栅氧化层的厚度可大幅减小，提高了字线栅层对下方沟道的控制，可有效降低读操作时的字线电压，并降低读串扰的风险以及减小器件尺寸。
本发明授权存储器结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括第一区、以及位于所述第一区两侧的第二区，且所述第一区与所述第二区邻接； 位于所述第二区上的浮栅结构、以及位于所述浮栅结构上的擦除栅结构； 位于所述衬底内的第一掺杂区，所述第一掺杂区位于部分所述第二区内，且横跨所述第一区，所述第一掺杂区内具有第一离子； 位于所述第一掺杂区内的源区，所述源区内具有第二离子，所述第一离子与所述第二离子的电学类型不同； 位于所述第一区上的源极多晶硅层，所述源极多晶硅层与所述源区相接触； 位于所述第二区内的字线栅沟道区； 位于所述第二区上的字线栅结构，所述字线栅结构位于所述浮栅结构和所述擦除栅结构的一侧，所述字线栅结构包括字线栅氧化层、以及位于所述字线栅氧化层上的字线栅层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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