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龙图腾网获悉深圳芯能半导体技术有限公司申请的专利多沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883392B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210421871.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权多沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法是由张益鸣;刘杰设计研发完成，并于2022-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本多沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请适用于微电子技术领域，提供了一种多沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法，多沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管中的N型外延层设在衬底层上，N型外延层上设有多个PN结沟槽，多个PN结沟槽沿横向间隔设置，相邻的两PN结沟槽之间设有多个肖特基沟槽，多个肖特基沟槽沿横向间隔设置，每个PN结沟槽的下方设有一个P型区，肖特基金属层设在N型外延层上，肖特基金属层上设有多个与PN结沟槽适配的第一凸起和多个与肖特基沟槽适配的第二凸起，每个第一凸起位于对应PN结沟槽中，每个第二凸起位于对应肖特基沟槽中。本申请的多沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管，可解决目前碳化硅结势垒肖特基二极管无法有效提升电流密度的问题。

本发明授权多沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括： 在N型外延层上沉积二氧化硅层，并对所述二氧化硅层进行光刻，得到多个二氧化硅硬掩膜； 在所述二氧化硅硬掩膜上沉积多晶硅层后，对所述多晶硅层进行刻蚀，得到多个多晶硅支撑柱；其中，相邻的两个所述二氧化硅硬掩膜之间的两个所述多晶硅支撑柱作为一个多晶单元； 清除所述二氧化硅硬掩膜后，在所述多晶硅支撑柱上沉积氮化硅，相邻的两个所述多晶单元之间留有预设宽度的缝隙； 对所述氮化硅进行刻蚀，使所述多晶硅支撑柱的上边界暴露，得到多个氮化硅支撑柱； 清除所述多晶硅支撑柱后，以多个所述氮化硅支撑柱作掩膜版，对所述N型外延层进行刻蚀，得到多个碳化硅沟槽； 在所述碳化硅沟槽中沉积玻璃制剂后，对所述玻璃制剂进行刻蚀，使所述玻璃制剂的上边界低于所述氮化硅支撑柱的上边界或使所述玻璃制剂的上边界与所述氮化硅支撑柱的上边界齐平； 在所述玻璃制剂和所述氮化硅支撑柱上沉积光刻胶后，对所述光刻胶进行光刻，得到PN结注入区； 清除所述PN结注入区处的玻璃制剂，得到PN结沟槽； 清除所述光刻胶，在所述PN结沟槽内注入铝离子，得到P型区，所述P型区与所述N型外延层的交界面形成PN结； 清除所述氮化硅支撑柱和所述玻璃制剂，得到肖特基沟槽； 在所述N型外延层上沉积肖特基金属，得到所述多沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管。

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