长鑫存储技术有限公司吴玉雷获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构的制作方法及其结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116981245B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210388289.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构的制作方法及其结构是由吴玉雷设计研发完成，并于2022-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制作方法及其结构在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及其结构，其中，半导体结构的制作方法可以包括：提供基底，基底包括沿第一方向延伸的字线及沿第二方向延伸的有源区；在基底上形成初始掩膜；在初始掩膜层上形成多个间隔排布的第一图形层，第一图形层沿第三方向延伸；以第一图形层为掩膜，图形化初始掩膜；在图形化后的初始掩膜上形成多个间隔排布的第二图形层，第二图形层沿第四方向延伸；以第二图形层为掩膜，图形化初始掩膜，形成掩膜层；以掩膜层为掩膜，图形化所述基底，在所述基底的有源区中形成位线接触图案。至少可以降低形成位线接触图案的形成难度。
本发明授权一种半导体结构的制作方法及其结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括沿第一方向延伸的字线及沿第二方向延伸的有源区，所述第一方向与所述第二方向不同； 在所述基底上形成初始掩膜； 在所述初始掩膜上形成多个间隔排布的第一图形层，所述第一图形层沿第三方向延伸； 以所述第一图形层为掩膜，图形化所述初始掩膜； 在图形化后的所述初始掩膜上形成多个间隔排布的第二图形层，所述第二图形层沿第四方向延伸，所述第三方向与所述第四方向不同；以所述第二图形层为掩膜，图形化所述初始掩膜，形成掩膜层； 以所述掩膜层为掩膜，图形化所述基底，在所述基底的所述有源区中形成位线接触图案； 所述第一方向与所述第二方向之间的夹角为第一夹角，所述第三方向与所述第四方向之间的夹角为第二夹角，且所述第一夹角与所述第二夹角满足其中，α为所述第一夹角，β为所述第二夹角。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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