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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种悬浮栅功率MOSFET及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709267B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210268560.X，技术领域涉及：H10D30/68；该发明授权一种悬浮栅功率MOSFET及其制造方法是由张腾;张国斌;刘涛;柏松设计研发完成，并于2022-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种悬浮栅功率MOSFET及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种悬浮栅结构功率MOSFET及其制造方法，为原胞周期性排列形成的多原胞结构，原胞包括：第一导电类型外延层、漏极、第二导电类型阱区域、第一导电类型源区域、第二导电类型重掺杂区域、源电极、位于第二导电类型阱区域上方、覆盖部分第一导电类型源区域的绝缘介质层、悬浮的栅电极，栅电极设置在绝缘介质层上、位于栅电极之上的钝化保护层，栅电极上开有至少一个窗孔，窗孔中无栅电极和绝缘介质层留存。本发明与传统功率MOSFET结构相比，利用牺牲层代替传统栅氧，并通过在栅极上打开窗孔的方式将牺牲层去除，使栅极悬空，采用非固态栅介质层。

本发明授权一种悬浮栅功率MOSFET及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种悬浮栅结构功率MOSFET，其特征在于，所述MOSFET为原胞周期性排列形成的多原胞结构，所述原胞包括： 第一导电类型外延层； 位于所述第一导电类型外延层底部的漏极； 与所述第一导电类型外延层相邻并分布于所述第一导电类型外延层两侧的第二导电类型阱区域，两侧的第二导电类型阱区域中间为JFET区域； 位于所述第二导电类型阱区域中，靠近JFET区域的第一导电类型源区域； 位于所述第二导电类型阱区域中，远离JFET区域的第二导电类型重掺杂区域； 位于所述第一导电类型源区域及所述第二导电类型重掺杂区域之上的源电极； 位于所述第二导电类型阱区域上方，覆盖部分所述第一导电类型源区域的绝缘介质层，所述绝缘介质层未完全覆盖所述第二导电类型阱区域靠近JFET区的边界； 位于所述JFET区域和部分第一导电类型源区域上方的悬浮的栅电极，所述栅电极设置在所述绝缘介质层上，所述栅电极与所述第一导电类型外延层及第二导电类型阱区域之间的部分为真空或非固态材料； 位于所述栅电极之上的钝化保护层； 所述栅电极上开有至少一个窗孔，所述窗孔中无栅电极和绝缘介质层留存，所述窗孔未超过JFET区域中部的正上方。

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