京东方科技集团股份有限公司梁轩获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种发光器件、显示面板及电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114551668B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210179597.5,技术领域涉及:H10H20/813;该发明授权一种发光器件、显示面板及电子设备是由梁轩;王飞;王明星;王灿;董学;杨明坤;齐琪设计研发完成,并于2022-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光器件、显示面板及电子设备在说明书摘要公布了:本公开实施例提供了一种发光器件、显示面板及电子设备,发光器件至少包括:第一外延结构、第二外延结构,第一外延结构和第二外延结构能够发出不同波段的光;第一外延结构和第二外延结构沿第一方向依次设置,每个外延结构均包括:N型半导体层、P型半导体层、多量子阱层;第一外延结构和第二外延结构之间设置有导电键合层,包括:第一导电材料层和第二导电材料层,第一导电材料层还与第一外延结构的N型半导体层连接,第二导电材料层还与第二外延结构的P型半导体层连接;第二导电材料层的表面面积小于或等于第一导电材料层的表面面积;第二导电材料层的表面面积与第二外延结构的P型半导体层的表面面积之比的取值范围为0.2‑1。
本发明授权一种发光器件、显示面板及电子设备在权利要求书中公布了:1.一种发光器件,其特征在于,至少包括: 第一外延结构、第二外延结构,所述第一外延结构和所述第二外延结构能够发出不同波段的光; 所述第一外延结构和所述第二外延结构沿第一方向依次设置,每个外延结构均包括:N型半导体层、P型半导体层,以及位于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的多量子阱层; 所述第一外延结构和所述第二外延结构之间设置有导电键合层,所述导电键合层包括:第一导电材料层和第二导电材料层,所述第一导电材料层还与所述第一外延结构的N型半导体层连接,所述第二导电材料层还与所述第二外延结构的P型半导体层连接; 其中,所述第二导电材料层的表面面积小于或等于所述第一导电材料层的表面面积,所述第一导电材料层被配置为与所述第一外延结构的N型半导体层形成欧姆接触,所述第二导电材料层被配置为与所述第二外延结构的P型半导体层形成欧姆接触; 所述第一导电材料层的表面面积与所述第一外延结构的N型半导体层的表面面积相同,所述第二导电材料层的表面面积与所述第二外延结构的P型半导体层的表面面积之比的取值范围为0.2-1。
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