爱思开海力士有限公司金承焕获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利存储单元和具有该存储单元的半导体存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975616B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210144675.8，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权存储单元和具有该存储单元的半导体存储器件是由金承焕设计研发完成，并于2022-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元和具有该存储单元的半导体存储器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高度集成的存储单元和包括该存储单元的半导体存储器件。根据本发明，一种半导体存储器件包括：存储单元阵列，其中多个存储单元垂直层叠至衬底，其中每个存储单元包括：位线，其垂直于衬底定向；电容器，其与位线横向间隔开；有源层，其横向定向于位线与电容器之间；以及字线和背栅，所述字线和背栅彼此面对，所述有源层插设在所述字线与所述背栅之间，以及其中，字线的边缘和背栅的边缘沿着存储单元的层叠方向具有阶梯形状。
本发明授权存储单元和具有该存储单元的半导体存储器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，其包括： 存储单元阵列，其中多个存储单元垂直层叠于衬底上， 其中，每个所述存储单元包括： 位线，其相对于所述衬底垂直地定向； 电容器，其与所述位线横向间隔开； 有源层，其横向地定向于所述位线与所述电容器之间；以及 字线和背栅，所述有源层插设在所述字线与所述背栅之间，所述字线和所述背栅耦接至所述有源层； 其中，所述字线的边缘与所述背栅的边缘沿着所述存储单元的层叠方向形成阶梯形状；以及 其中，所述有源层包括： 第一源极漏极区，其连接至所述位线； 第二源极漏极区，其连接至所述电容器；以及 沟道，其在所述第一源极漏极区与所述第二源极漏极区之间， 其中，所述沟道比所述第二源极漏极区要薄。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人爱思开海力士有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号