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龙图腾网获悉成都天成电科科技有限公司申请的专利超宽带晶圆级封装匹配结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496986B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210123804.5，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权超宽带晶圆级封装匹配结构是由王璞;刘强;郭齐设计研发完成，并于2022-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本超宽带晶圆级封装匹配结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种超宽带晶圆级封装匹配结构，包括：芯片晶圆级封装部分和PCB部分，芯片晶圆级封装部分包括：封装衬底、芯片、第一钝化层、RDL、第二钝化层、UBM和焊球。芯片包括：功能面、底面和芯片焊盘；芯片的底面镶嵌在封装衬底中，且芯片的功能面外露；第一钝化层包括：第一钝化层金属通孔；第一钝化层设置在芯片的功能面外侧，且第一钝化层金属通孔中心与芯片焊盘中心对齐；RDL包括：RDL信号线和RDL金属接地；RDL设置在第一钝化层外侧；UBM包括：信号UBM和接地UBM；UBM设置在第二钝化层中；第二钝化层设置在RDL外侧；芯片通过焊球和PCB部分垂直互连；其中，RDL信号线设置有匹配节，用于调节第一钝化层金属化通孔和信号UBM之间的阻抗失配。

本发明授权超宽带晶圆级封装匹配结构在权利要求书中公布了：1.一种超宽带晶圆级封装匹配结构，其特征在于，包括： 芯片晶圆级封装部分和PCB部分； 所述芯片晶圆级封装部分包括：封装衬底、芯片、第一钝化层、RDL、第二钝化层、UBM和焊球； 所述芯片包括：功能面、底面和芯片焊盘；所述芯片的底面镶嵌在所述封装衬底中，且所述芯片的功能面外露； 所述第一钝化层包括：第一钝化层金属通孔；所述第一钝化层设置在所述芯片的功能面外侧，且所述第一钝化层金属通孔中心与所述芯片焊盘中心对齐； 所述RDL包括：RDL信号线和RDL金属接地；所述RDL设置在所述第一钝化层外侧； 所述UBM包括：信号UBM和接地UBM；所述UBM设置在所述第二钝化层中； 所述第二钝化层设置在所述RDL外侧； 所述芯片通过所述焊球和所述PCB部分垂直互连； 其中，所述RDL信号线设置有匹配节，用于调节所述第一钝化层金属化通孔和信号UBM之间的阻抗失配； 所述PCB部分包括：PCB焊盘、高阻线、Klopfenstein渐变线、微带线和介质基板； 所述PCB焊盘、所述高阻线、所述Klopfenstein渐变线和所述微带线设置在所述介质基板上； 所述芯片通过所述焊球和所述PCB焊盘垂直互连； 所述PCB焊盘连接所述高阻线； 所述Klopfenstein渐变线分别连接所述高阻线和所述微带线； 所述RDL金属接地对称分布在所述RDL信号线两侧； 所述RDL金属接地在所述微带线上方设有开口避让；所述开口避让的尺寸可调； 所述接地UBM呈类同轴分布在所述信号UBM四周； 所述焊球包括：信号焊球和接地焊球； 所述接地焊球呈类同轴分布在所述信号焊球四周。

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